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江阴康强电子有限公司企业标准
Q/CYXXX001-2011
半导体集成电路引线框架
2011- - 发布 2011- - 实施
江阴康强电子有限公司发布
前言
本标准编写符合GB/T 1.1-2009的规定。
本标准由江阴康强电子有限公司负责起草。
本标准由江阴康强电子有限公司批准。
本标准主要起草人:
半导体集成电路引线框架
范围
本标准规定了半导体集成电路引线框架术语和定义、集成电路引线框架的分类、技术要求、检测及验收规定、标志、储存等。
本标准适用于本公司生产的半导体集成电路引线框架。
规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数检查抽样方案和程序
GB 7092 半导体集成电路外形尺寸
GB/T 13546-92 挑选型记数抽样检查程序及抽样表
GB/T 14112 半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范
GB/T 14113 半导体集成电路封装术语
GB/T 15878 小外形封装引线框架规范
术语和定义
GB/T 14113规定的及下列术语和定义适用于本标准。
毛刺 Burr
粘结在引线框架上的水平或垂直方向上的多余材料碎片。
侧向弯曲 Camber
引线框架在长度方向出现的侧向弯曲。
3.3
卷曲 Coil set
引线框架在长度方向的弯曲。
3.4
玷污 Contamination
不和原材料起化学反应的并且可以被含水或不含水溶液清除掉的有机或无机的粘附着的外来物质。
3.5
横向弯曲 Crossbow
引线框架在宽度方向上的弯曲。
打凹 Downset
打凹是指芯片粘贴基岛反常的沉降。
3.7
引脚扭曲 Lead twist
引线框架的键合区偏离引线框架条带方向的角度。
3.8
精压区 Coining
塑料封装的引线框架上,被加工后的键合区表面。
3.9
凹坑 Pit
基体材料上具有可见边缘的浅凹陷或设计规定的压痕。
3.10
压痕 Slug mark
基体材料上的任意的机械划伤、压印和外界杂质所引起的无序凹坑。
3.11
功能区 Functional area
塑封引线框架上的芯片粘接区和引线键合区的总称。
3.12
引线框架 Lead frame
采用冲制或刻蚀工艺制造,使具有一定几何图形和规定外形尺寸,提供陶瓷熔封或塑料封装引出线的一个或一组金属零件。引线框架各部位名称见图1。
集成电路引线框架的分类
集成电路引线框架分为P-DIP、SOIC、PLCC、QFP、SSOP、TSSOP、TSOP、HSOP、PGA、BGA 等。
技术要求
5.1 引线框架外形尺寸符合GB 7092有关规定。
5.2 引线框架材料建议选用A194、C7025、PMC90、A42、K65、K80、KFC、ALLOY 42等。
5.3 引线框架常用材料厚度公差见表1
表1 引线框架常用材料厚度公差表
单位为mm
材料厚度
允许公差值
0.1000
±0.007
0.1270
±0.0076
0.1520
±0.0076
0.2540
±0.0076
0.3810
±0.0076
0.508
±0.010
P32/240X165
P32/240X165
引线步距
引线步距
定位孔
定位孔
腰形槽
腰形槽
标识孔
标识孔
外引线
外引线
“
“Y”槽口
引线肩
引线肩
基岛
基岛
锁定孔
锁定孔
引线连筋
引线连筋
连筋
连筋
内引线
内引线
框架切段线
框架切段线
鱼形尾
标记
标记
基岛
基岛
倒角
倒角
凹坑
凹坑
图1
间距/长度宽度见表2
表2 间距/长度宽度表
单位为mm
产品类型
L/F类型
单位/条
间距
长度
宽度
PDIP
8LD DUAL IDF
28(14X2)
13.716±0.025
196.698±0.127
24.638±0.102
14LD
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