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3D 晶圆级封装植球解决方案 一． WLP 晶圆植球技术简介 晶圆级植球工艺是将微小尺寸的焊球（百微米级）直接放置到刻 好电路的晶圆上，经过回流焊炉固化后再进行晶圆的切割和芯片的分 选，分选出的芯片通过倒封装 （Flip Chip）工艺贴合到基板上。采 用晶圆级植球工艺封装的芯片避免了额外的封装并提供了比如高运 行频率、低寄生效应和高I/O 密度等优点。 微球植球机是3D 芯片晶圆级封装工艺中的必备核心设备之一。 近几年晶圆级植球技术的快速发展，其原因有两个。一是随着CSP 类 封装型式IC 消费量的增加，IC 制造的成本压力进一步加大。传统的 化学电镀BUMPING 工艺显示出造价贵、制造周期长、环境污染、工艺 复杂和参数不稳定等缺点，因此业界一直在寻找替代解决方案，晶圆 级植球技术的突破恰好满足了这一需求。二是多层堆叠技术(MCM)的 发展要求晶圆与晶圆间具有高精度的多引脚的100 微米级的互联，只 有晶圆级植球技术可以稳定地实现此愿望。随着网络通信领域技术的 迅猛发展，数字电视，信息家电和3G 手机等产品将大量需要高端IC 电路产品，进而对高引脚数的MCM （MCP），BGA，CSP，3D，SiP，PiP， PoP 等中高端产品的需求十分旺盛。WLP 晶圆级封装芯片键合自动化 系统是高端IC 封装设备的关键设备之一，在越来越引起广泛重视的 TSV 高端IC 封装中将大显身手。 注意：此类应用引脚尺寸介于 100 微米至300 微米之间，小于100 微米的引脚基本不采用此方法。 晶圆级植球工艺在国内刚刚开始应用，全球2012 年销售预期将达 到15 条线以上并将保持年均20%以上的增长，具有良好的市场前景。 目前市场上存在的晶圆级植球装备都是国外产品，价格高昂且服务不 足，掌握核心技术的国产设备将具有很强竞争力。 二． WLP 晶圆植球机简介 晶圆级植球动作流程如下： 影响晶圆级植球效果的主要因素有：传动机构的精度；图像定位 系统的精度和算法；网板的厚度、孔径等参数设定；对网板的压力控 制和弹性变形的控制和补偿；植球机构和供球系统的设计。 三． 上海微松WLP 晶圆植球机技术解决方案 1. 全自动解决方案 主要技术指标如下： NO. 项目 Items 内容Contents 硅片尺寸 1 6/8/12 inch Wafer sizes 最小端子间距 200um 2 Minimum ball pitch 200um 锡球直径 3 Ф100um-Ф300um Ball diameter 4 UPH 20 印刷和植球对位精度 5 ±30 μm Alignment accuracy 植球成功率 6 99.995% Yield 特征： ▇ 拥有专利的植球方式，实现了稳定植球。 ▇ 残球除去过程与植球过程同时进行，提高了生产效率。 ▇ 实现治具的低成本、易更换。 ▇ 采用精简的机构，配合中文操作界面，实现了维护的简易化。 2. 半自动型解决方案 主要技术指标如下： 项目Items 内容Contents 说明 晶圆尺寸