半导体集成电路课件第一章.pptVIP

* * N well P well CMOS反相器版图流程(1) 1. 阱——做N阱和P阱封闭图形，窗口注入形成P管和N管的衬底 N diffusion CMOS反相器版图流程(2) 2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 P diffusion CMOS反相器版图流程(2) 2. 有源区——做晶体管的区域（G、D、S、B区)，封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 Poly gate CMOS反相器版图流程(3) 3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅 N+ implant CMOS反相器版图流程(4) 4. 有源区注入——P+，N+区（select)。 P+ implant CMOS反相器版图流程(4) 4. 有源区注入——P+、N+区（select)。