半导体电気抵抗.pptVIP

1 金属，半導体の電気抵抗 6032 　古谷　　 超 A 6034 　佐々木　猛 D 6036 　伊東 　 孝恵 P 6038　 吉岡 　 靖治 L 6040　 近藤　　智彦　　 　 目的 　金属細線と半導体資料の電気抵抗と温度の関係を調べる。 　素材の温度を変化させることにより抵抗が変化することを実験で調べグラフを作成する事により理解を深める。 原理 金属:温度が上昇すると熱運動が激しくなり、自 　　　　　　　　　　　　　　　　由電子が動きにくくなるため低抗率は増加する。 半導体:電気抵抗率の大きさで分類すると絶縁体の中に大別される。低温では絶縁体で室温では抵抗率は小さくなる、半導体は自由電子が熱的に励起されており、温度を上げると自由電子の数が増えるために抵抗率は減少する。 　 金属の電気抵抗率 金属の抵抗 R 　　　　　 R0(Ω) は T＝0℃での抵抗 　α (K) は電気抵抗の温度係数 半導体の電気抵抗率 半導体試料の抵抗 R 　　　　　　　　 　 A，Bは定数 　T(K)は温度 　　 　実験方法 1． 金属と半導体の試料を炉で加熱した 　 実験結果 抵抗値の変化 まとめ 金属の電気抵抗は温度に伴って直線的に増加した。 半導体の電気抵抗は温度に伴って、指数関数的に減少。抵抗値と温度の逆数の片対数グラフにおいて直線的に増加した。 * * * * * * * * * * * * * 1 * 1 * 1 * 1 * B－08 2． 5 ℃ごとに抵抗値を測定した 1111 152.7 140 1409 148.8 130 877 156.6 150 1794 145.1 120 2300 141.2 110 3020 137.4 100 3980 133.7 90 5320 129.9 80 7250 126.1 70 10050 122.4 60 13990 118.7 50 19900 114.9 40 半導体（Ω） 金属（Ω） 温度（℃） 図１　温度T (℃)と白金の電気抵抗R(Ω)の関係 白金の電気抵抗R (Ω) 温度T (℃) 図２　温度T (K)とサーミスタの電気抵抗R (Ω)の関係 サーミスタの電気抵抗R (Ω) 温度T (K) 図3　電気抵抗の対数と温度の逆数 温度1000/T (K) 電気抵抗の対数R (Ω) * *