Lecture26 第六章 MOS场效应晶体管 (2)培训教材.pptVIP

Chap.6 MOSFET Lecture 26：§6.5 § 6.8;Outline;MOSFET结构示意图;以源极作为电压的参考点。当漏极加上正电压VD，而栅极未加电压时，从源极到漏极相当于两个背靠背的PN结。从源到漏的电流只不过是反向漏电流。当栅极加上足够大的正电压VG时，中间的MOS结构发生反型，在两个N+区之间的P型半导体形成一个表面反型层（即导电沟道）。于是源和漏之间被能通过大电流的N型表面沟道连接在一起。这个沟道的电导可以用改变栅电压来调制。背面接触(称为下栅)，可以接参考电压或负电压，这个电压也会影响沟道电导。;线性区：沟道作用相当于一个电阻;反型层宽度减小到零，沟道夹断;导电沟道两端电压不变，忽略沟道长度调制效应电流保持不变，进入饱和工作状态;二、MOSFET的I-V特性 ;栅极上加一正电压使半导体表面反型。若加一小的漏源电压，电子将通过沟道从源流到漏。沟道的作用相当于一个电阻，且漏电流ID和漏电压VD成正比，这是线性区。可用一条恒定电阻的直线来表示。;支撑感应载流子电荷QI;（y→(0, L); V →(0, VD)）积分，得：;;修正为：;VTH与V有关 (考虑栅电压对QB影响);由于导电沟道上存在电压降，使栅绝缘层上的有效电压降从源端到漏端逐渐减小，当VDS很大时，沟道压降对有效栅压的影响不可以忽略，降落在栅下各处绝缘层上的电