制程不良原因分析.ppt

制程不良原因依公式分析 主講:鍾經理 電感公式L=uA*N2/l 漏電感Le=XL/2兀 XL=Zeq-Req(交流阻抗-交流電阻). 銅線電阻公式R=ρL/A,A=截面積 L=長度(公分 電阻對温度變化=1+(25-t/234.5+t) 電感對温度變化u=(u2-u1)÷u1(t2-t1) 電阻R=V/I(歐姆定律) 電功率公式P=I*V=I*I*R=V*V/R Q值=1/D= ωL/R 圈數比(VOLT):V1/V2=N1/N2 頻率F=XL*XC=1/2兀√LC 溫升依電阻公式(234.5+t1)/r1=(234.5+t2)/r2 電感過低 電感公式:L=u*A*N2/l 鐵芯結合處是否有異物(膠帶,研磨粉 塵等) 鐵芯材質用錯(u值低).鐵芯膠帶過鬆 圈數過少,CORE兩臂未對齊. 腳位纏錯,同組圈數(其中一組錯) GAP間距大,鐵芯破裂(磁鐵磁性太強吸破) CORE太短興BOBBIN組立後CORE兩臂有間隙. 內銅箔短路 內部繞組短路(層間耐壓不良) 環境溫度較規格溫度低 電感過高 電感公式:L=u*A*N2/l .鐵芯材質用錯(u值高). .圈數多繞 .環境溫度太高 .鐵芯破裂陷下去(研磨鐵芯) 漏感過高1 Le=XL/2π XL=Zeq-Req(交流阻抗-交流電阻). 膠帶多包.固定膠過長 銅箔未拉緊 布線方式太亂,繞線不平整 作業時線與膠帶未拉緊 測試治具(如銅線或錫絲,測試引線 長導致短路不確實) 漏感過高2 Le=XL/2π XL=Zeq-Req(交流阻抗-交流電阻). 進出線未成直角. GAP CORE兩臂太長組裝后與 BOBBIN間太鬆動,GAP對線圈而言無法定位,影響測試感值. 各層繞線未均勻布滿幅寬 線包大. 電阻過高 R=ρL/A,A=截面積 L=長度(公分) BON用錯,線徑用錯(過小) 繞線拉力過大,把線拉細 線徑表示方法(如AWG或JIS) 引線焊點冷焊包焊 圈數多繞. 環境溫度太高 層次繞反 多股線少一股或斷一股 電阻偏低. R=ρL/A,A=截面積 L=長度(公分 圈數少繞,線徑過大 BON用錯(尺寸小) DR CORE機種規格是否用錯或中徑偏小. 腳位纏錯 層次繞反(如N2-N3繞成N3-N2) 環境溫度較規格溫度低.{1+(25-t)/234.5+t)} 耐壓(電弧)不良 V=R*I 1.膠帶刺破. 2.銅線漆包膜破.3.焊錫過深. 4.銅線外露.5.銅線上檔牆. 6.銅箔包歪. 7.腳距近. 8.線頭長,焊點大. 9.層間絕緣不夠.(膠帶少包一層) 10.線頭或銅渣包在線包里面. 11.銅箔膠布刺破.12.BOB材質碳化. 13.助焊劑太多(助焊劑是酸性導體) 14.植pin太深 15.三層絕緣線烘烤溫度不宜超過100度 16.L層膠布P-S未包正確(歪) 17.繞組P-S分伂電容大 Xc=ωc(電壓經電容放電) 短 路 R=V/I 繞線間銅線漆包膜破損 銅線交叉,針孔相接觸 進出線相碰 焊錫過深 PIN與PIN之間沾有錫渣 層間絕緣度不夠,膠帶刺破 內銅箔背膠破或銅箔短路 兩繞組間銅線相接觸 Q值低 Q值為品質因素.即線圈Q值越低利用效率越低.Q=1/D= ωL/R 內部短路 銅箔短路 產品外部連焊短路(層間短路) CORE材質用錯(μ值偏低) 腳位纏錯 少繞層次 布線方式(不整齊) DCR偏高(線徑用小) 電壓輸出不符V1/V2=N1/N2 次級短路,初級短路,斷線 腳位纏錯或進出線相位反 輸入電壓不正確 圈數比錯 初級.次級圈數多繞或少繞 測試接線接錯 漏繞層次 激磁電流高 I=V/R 圈數太少,銅線線徑用大, 矽鋼片沒有組裝好,未敲平. 次級短路或初級層間耐壓不良 腳位纏錯 矽鋼片材質不合或有毛邊 輸入電壓及頻率不正確 BON變形,矽鋼片無法完全接合 矽鋼片單片厚度較厚. 圈數多或少 圈數比:V1/V2=N1/N2 CNC圈數設定錯誤(有被修改) CNC定位偏移,套入BOBIN轉多或少一圈 手搖機計數器未完全歸零 繞線前未確認正確 CNC停止慢車,未加入或減多圈數 線包大(機械尺寸) 膠帶寬度大於BOB寬度0.8亳米以上. 膠帶開始.結束點在CORE入口處. 銅線進出未成直角在CORE入口處.繞線不平整. 膠帶未包緊.膠帶反折或多包圈. 內銅箔未包緊.銅箔引線焊點大.焊點在側面. 套管太長或太粗.銅線