单片机存储器的扩展part 1 80C51讲解.ppt

5.4 数据存储器的扩展 5.4.1 随机存储器概述 数据存储器就是随机存储器，简称 RAM （ RAM ： Random Access Memory ）。与 ROM 不同，对 RAM 可以 进行读写两种操作。 按半导体工艺， RAM 分为 MOS 型和双极型。 MOS 型集成度高，功耗低，价格便宜，但速度较慢。而双极 型则正好相反。在单片机系统中使用的大多数是 MOS 型 的 RAM ，它们的输入输出信号能与 TTL 相兼容，因此在 扩展中信号连接是很方便的。 按工作方式， RAM 分为静态（ SRAM ）和动态 （ DRAM ）。 静态 RAM 只要加上电源，所存信息就能可 靠保存。而动态 RAM 使用的是动态存储单元，需要不断 进行刷新以便周期性地再生，才能保存信息。 动态 RAM 集成密度大、功耗低、价格便宜，但 需增加刷新电路 ， 因此只适用于较大的系统，而在单片机系统中很少使用。 按扩展方式， RAM 分为并行 RAM 和串行 RAM 。 5.4.2 片外数据存储器扩展时的总线功能和读、写操作时序 80C51 单片机，对片外数据存储器读、写操作的指令 有以下四条： MOVX A, ＠ Ri; 片外 RAM→(A) ，读 ( /RD) 操作 MOVX ＠ Ri, A; (A)→ 片外 RAM ，写 (/WR) 操作 这组指令由于＠ Ri 只能提供 8 位地址，因此，仅能直 接扩展 256 个字节的片外 RAM 。 MOVX A, ＠ DPTR ; 片外 RAM→(A) ，读操作 MOVX ＠ DPTR, A ; (A)→ 片外 RAM ，写操作 这组指令由于＠ DPTR 能提供 16 位地址，因此，可以 扩展 64 KB 的片外 RAM 。 这四条指令都是双机器周期指令。 “ MOVX A, ＠ DPTR ” 和“ MOVX @DPTR,A ” 的操 作时序见 图 所示。 从图中可以看出，执行该组指令时，机器周期 1 为取 指周期，在取指周期的 S5 状态时， ALE 的下降沿，在 P0 总 线上出现的是数据存储器的低 8 位地址，即 DPL ；在 P2 口 上出现的是数据存储器的高 8 位地，即 DPH 。 取 指 操 作 之 后 ， 直 至 机 器 周 期 2 的 S3 状 态 之 前 ， /PSEN 一直维持高电平。而在机器周期 2 的 S1 与 S2 状态之 间的 ALE 不再出现。 执行“ MOVX A, ＠ DPTR” 时，从机器周期 2 开始到 S3 状态， /RD 出现低电平。此时允许将片外数据存储器的数 据送上 P0 口，在 /RD 的上升沿将数据读入累加器 A 。数据 为输入。执行“ MOVX ＠ DPTR ， A” 时，从机器周期 2 开 始到 S3 状态， /WR 出现低电平。此时 P0 口上将送出累加器 A 的数据，在 /WR 的上升沿将数据写入片外数据存储器中 。数据为输出。 图 “ MOVX A,@DPTR” 和“ MOVX @DPTR,A” 指令操作时序 总之，此时 P0 口为地址、数据复用总线； P2 口在机 器周期 1 的 S4 状态之后出现锁存的高 8 位地址（ DPH ）； 用控制线来控制数据总线上的数据传输方向： /RD 有效 时数据为输入， /WR 有效时数据为输出。 5.4.3 数据存储器扩展用典型芯片 数据存储器扩展常用随机存储器芯片，用的较多的是 Intel 的 6116 (2K × 8) 、 6264 (8K × 8) 、 62128 (16K × 8 、 62256 (32K × 8) 、 62512 (64K × 8) 等型号，它们都是 SRAM ， CMOS 工艺，因此具有低功耗 的特点。在维持状态下只需几个微安电流，很适宜作需断电保护或 需长期低功耗状态下工作的存储器。另外 EEPROM 除可用作程序存储 器扩展外，还可作为数据存储器扩展。 6116 SRAM 引脚见教材 P127 图 5.10( P127 图 6.8 ) 所示，说明如下： A10 ～ A0 ：地址线 /WE ：写选通信号 D7 ～ D0: 数据线 /CE ：片选信号 /OE ：数据输出允许信号 6116 共有四种工作方式：未选中、禁止、读出、写入（见 教材 P127 表 5-4/ 表 6.2 ）。 5.4.4 数据存储器扩展举例 在 80C51 的扩展系统中，片外数据存储器一般由随 机存取存储器组成，最大可扩展 64KB 。数据存储器扩展 与程序存储器扩展在数据线、地址线的连接上是完全相 同 的 。 所 不 同 的 只 在 于 控 制 信 号 ， 程 序 存 储 器 使 用 /PSEN 作为读选通信号，而数据存储器则使用 /RD 和 /WR 分别作为读、写选通信号 1