GB2020CMOS集成电路抗辐射加固设计要求-标准全文及编制说明.pdfVIP

GB/T XXXX—XXXX CMOS 集成电路抗辐射加固设计要求 Design specification for CMOS IC Radiation-Hardened (征求意见稿) 20 － － 发布 20 － － 实施 中华人民共和国国家市场监督管理总局 中国国家标准化管理委员会发布 GB/T XXXX-XXXX 目 次 前 言 III 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语、定义和缩略语 1 3.1 总剂量辐射效应Total Ionizing Dose Effects （TID ） 1 3.2 单粒子效应Single event Effect （SEE） 1 3.3 单粒子翻转 Single event Upset （SEU） 1 3.4 单粒子闩锁效应 Single event Latch-up （SEL） 1 3.5 单粒子功能中断 Single event functional interrupt （SEFI ） 1 3.6 线性能量传输 Liner energy transfer （LET ） 1 3.7 设计加固Radiation Hardening By Design （RHBD ） 2 4 总剂量辐射辐射效应及其加固设计 2 4.1 MOS 器件电离总剂量辐射效应 2 4.1.1.1 总剂量效应引起的器件源漏区域漏电 2 4.1.1.2 总剂量效应引起的场氧下漏电 3 4.1.2 深亚微米MOS 器件电离总剂量辐射效应 3 4.1.3 纳米MOS 器件电离总剂量辐射效应 3 4.2 电路级抗辐射加固设计 3 4.2.1 亚微米、深亚微米数字电路基本单元抗辐射加固设计 3 4.2.2 亚微米、深亚微米模拟电路基本单元抗辐射加固设计 4 4.2.2.1 模拟电路加固设计 4 4.2.2.2 运算放大器加固设计 4 4.3 器件级抗辐射加固设计 5 4.3.1 减小源漏漏电方法 5 4.3.2 减小场区漏电的方法 7 4.3.3 MOS 管的匹配规则 8 4.3.4 防闩锁版图设计规则 8 5 单粒子效应及其加固设计 9 5.1 单粒子效应及加固方法 9 5.2 深亚微米集成电路抗单粒子效应加固 9 5.2.1 抗单粒子闩锁效应加固 9 5.2.2 抗单粒子瞬态效应加固 9 5.2.3 单粒子昆倾效应（Quenching）的版图加固 10 5.2.4 组合电路的加固方法 11 5.2.5 时序电路的加固方法 11 ⅠI GB/T XXXX-XXXX 5.2.5.1 抗单粒子状态保持反向器设计 12 5.2.5.2 抗单粒子翻转锁存器设计 13 5.3 纳米级集成电路抗单粒子效应加固 15 5.3.1 存储类单元的抗 MNU 加固 15 5.3.2 存储阵列的抗多位翻转加固 16 5.3.3 数字电路单粒子瞬态的加固 16 5.3.4 模拟和混合信号电路单粒子瞬态加固 17 5.3.4.1 电荷共享加固设计方法 17 5.3.4.1.1 差分电荷消除版图法 17 5.3.4.1.2 敏感节点有源电荷消除发 17 5.3.4.2 节点分裂加固设计方法 18 6 集成电路辐射效应建模与模拟仿真 19 6.1 器件级建模与模拟仿真 19 6.1.1 器件数值仿真 20 6.1.2 器件精简模型仿真 20 6.2 电路级建模与模拟仿真 20 6.2.1 SPICE 建模仿真 20 6.2.2 混合模式仿真 20 6.2.3 全数值仿真 20 6.3 单粒子效应仿真 21 6.4 总剂量效应仿真 21 II