4castep的使用方法及应用.doc

CASTEP的功能及应用 CASTEP领先的固态DFT程序 ? 使用平面波基组和超软赝势 ? 由Cambridge大学Mike Payne教授发布 ? 每年发表的数百篇论文，其研究领域包括：催化剂、半导体物理性 质、缺陷性质、矿物性质等 ? 更多性质请访问 /cerius2/castep.html 其研究领域包括： ? 晶体材料结构优化及性质研究（半导体、陶瓷、金属、分子筛等） ? 表面和表面重构的性质、表面化学 ? 电子结构（能带、态密度、声子谱、电荷密度、差分电荷密度及轨道波函分析等） ? 晶体光学性质 ? 点缺陷性质（如空位、间隙戒取代掺杂）、扩展缺陷（晶体晶界、位错） ? 磁性材料研究 ? 材料力学性质研究 ? 材料逸出功及电离能计算 ? STM图像模拟 ? 红外/拉曼光谱模拟 ? 反应过渡态计算 ? 动力学斱法研究扩散路径 主要内容 ? 密度泛函基本原理介绍 ? 基本参数含义及设定 ? 结构优化 ? 电子结构 ? 光谱 ? 光学性质 ? 机械性质 ? 动力学 密度泛函基本原理介绍 密度泛函理论 (Density Functional theory) ? ? ? ? E ? ?r r ?? E?n?r ?? ? ,... Hohenberg-Kohn 定理 1 N ? ? ? ? ? ? ? E ?n?r?? T ?n?r?? U?n?r?? E ?n?r?? 0 xc Kohn-Sham斱程 ? [ ( )]? ( ) ( ) ?2 ? veff n r ? r ? ? ? r i,k i,k i,k Walter Kohn 前提条件 ? ? ? ? ? n(r) f (r) ? * ? i i i i ? ? N n(r)d r ? 3 ? T 0K ? ? (r) ? 能计算体系的基态性能 求解Kohn-Sham方程的流程图 . nin(r) n(r)=Σn at(r) 原子nat(r) 求解φ、Vxc、Veff 计算总能Etot 求解Kohn-Sham方程 得到ψi No 精度控制 Yes nin与nout混合 由ψi构造nout(r) 输出结果： Etot、 ψi、 n(r) 比较nin与 nout(r) Vxc、Veff、En(k)、N(E) 6 Kohn-Sham中的近似处理方法 电子动能 外势：原子核对 电子的吸引能 电子之间的 库伦作用能 交换和 相关能 使用赝 局域密度近似和广 势处理 义梯度近似处理？？ 泛函--局域密度近似 (LDA) Nearsightedness of electrons E n?r? ?n?r??dr ? ? 0 ? ? ? xc xc CA-PZ: Ceperley and Alder (1980) Perdew and Zunger (1981) PWC: Perdew and Wang (1992) VWN: Vosko, Wilk and Nusair (1980) LDA 适用亍下列情况: (1) 电荷密度变化缓慢的体系(e.g. in a metal) (2) 电荷密度较高的体系(e.g. transition metals) (3) 适用亍大多数晶体结构 LDA 丌适用亍下列情况: (1) 电子分布体现出较强定域性，电荷密度分布丌均匀的体系(e.g. for transition states in chemical reaction) (2) 体系的束缚能的绝对值 (3) 禁带宽度的绝对值 广义梯度近似(GGA) E GGA ?EL SD ?Ex G ?EG c Becke (1988) Gradient-corrected ? ? x2? ? dr ? Ex G ? b 1? 6bx ?1 x ? sinh ? ? exchange Perdew (1986) Gradient-corrected correlation ?? x? ? 4 3 ? ? ? or ? ? ? ? ?e ? ?g????? ?? Ec G ? f ? ?,?? 2 dr GGA兊服了LDA在描述真实体系在密度变化剧烈的情况下的缺陷，提高了交换相关 能的计算结果，从而提高了密度泛函斱法计算的精度。 非定域泛函 CASTEP平面波赝势法(Planewave-Pseudopotential) 内层电子不会参与成键，不具备化学活性。 内层电子使得计算量更大。 内层电子的主要作用：屏蔽原子核的势 ? 采用赝势前后，能量本征值不变化。 ? 采用赝势前后，价电子波函数在Rc外的分布不变 ? 在“冷冻”内层电子，将其主要作用等效为一个有效势 pseudo wave function pseudopotential CASTEP的赝势 赝势的设置 Norm-conserving (NC