双面高效电池生产工艺过程HIT.pdf

2010.03.30 主要内容 异质结(Heterojunction)定义 硅异质结太阳电池种类 硅异质结太阳电池优点 硅异质结太阳电池生产工艺过程 硅异质结太阳电池光伏系统  异质结: 由两种不同材料构成的结 同型异质结: 相同导电类型 异型异质结: 导电类型不同 异质结种类: 硅异质结 其他材料异质结  硅异质结太阳能电池(SHJ) 通常是指在单晶硅衬底上沉积硅薄膜构成 非晶硅(a-Si:H) 高Voc,低Jsc 微晶硅（纳米晶硅）(nc-Si:H) 高Jsc, 新的特性 外延硅(epi-Si:H) 重要研究方向, 低温外延生长问题 非晶硅碳(a-SiC:H) 带隙宽,窗口层,有待进一步研究 Polymorphous硅(Pm-Si) 过渡区材料,新特性,有待进一步研究  界面重要—钝化 本征i-a-Si:H  Sanyo HIT i-Epi-Si i-nc-Si:H i-pm-Si:H 原子H(H atomic) 离子H(H plasma) HIT太阳电池 结合第一代单晶硅电池和第二代薄膜电池的优势 • 高转换效率,低生产成本 • 温度系数小 • 适用于更薄的硅片 November 2008 HIT电池制备工艺过程 双面高效异质结电池  电池效率>19.6%  尺寸: 156X156mm2  硅片: CZ n-type C-Si 双面高效电池生产线相关设备 清洗和制绒过程 SDR & texturing 前薄膜沉积过程 Front PECVD system 前透明导电膜沉积过程 Sputtering system 硅片反转过程 flipper system 硅片反转过程movie 后薄膜沉积过程 Back PECVD system 后透明导电膜沉积过程 MOCVD system 丝网印刷栅线电极 Screen printer and Dryer system 边缘刻画过程 Edge Isolation system  组件功率>276.4W  尺寸: 1.00X1.67m2  电池片数:6X10 wafers 硅异质结太阳电池光伏系统 日本三洋公司在Gifu建立的630kW HIT太阳电池示范电站 三洋公司在美国加利福尼亚Santa Monica建立的5个1.95kW HIT电站 三洋公司在Las Vegas建立的2.85kW HIT电池电站