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SiC???у?????? ?? ?? ?? wafer ??? ?? ?? ?? ???   SiC功率半导体介绍 Confidential c 2009 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved 2 作为功率半导体SiC的魅力，优点 与其他材料的对比 半导体材料 Si SiC GaN 钻石 能带隙 (eV) 1.12 3.26 3.42 5.47 电子移动度 (cm2/Vs) 1350 1000 1500 2000 物性数据 绝缘击穿电场 (MV/cm) 0.3 2.8 3 8 饱和漂移速度 (cm/s) 1.0 x 107 2.2 x 107 2.4 x 107 2.5 x 107 热传导率(W/cm K) 1.5 4.9 1.3 20 直接迁移 or 间接迁移 间接 间接 直接 间接 性能指数 Johnson的性能指数 1 420 580 4400 Baliga的性能指数 1 470 850 13000 P型价电子控制 ○ ○ △ ○ 制作技术 N型价电子控制 ○ ○ ○ × 热酸化 ○ ○ × × GaN的物性数据好(特别适合光学用途) ，作为功率器件用途时，器件的制作技术难点多，综合 比较不如SiC。 钻石是终极半导体，有着凌驾SiC和GaN的出色的物性,不过，制作技术过程中有很多问题，现 在暂时不考虑实用化。 Confidential c 2009 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved R-TR-100707-JJ 3 特性与优势 反向恢复时间小,Rds(on) 可以超高速开关，大大提高产 极小 品效率，减小散热设备体积 高频特性好 可以实现设备小型化， （如电 动汽车充电器） 耐高压 可在高压下稳定工作（高速列 车，电力等） 温度特性好 可在高温环境下稳定使用（电 动汽车等） Confidential c 2009 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved R-TR-100707-JJ 【参考】PFC电路 Confidential 4 ?无 PFC电 路 电流 电压 Main电路：SW电源 电流 电压 + IC 因为AC(商用)直接影响Main电路(SW电源)的开关，所以会发生高次谐波和电流顶峰的问题。 电流 电压 ?有 PFC电 路 PFC电路：升压+直流化 Main电路：SW电源 电流 电压 + IC IC Main电路(SW电源)输入直流。 从AC(商用)，电压/电流被整流后输入。 Confidential c 2009 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved R-TR-100707-JJ PFC电路 SiC-SBD的优点 Confidential 5 电流 ?Si-FRD vs SiC-SBD 电压 PFC电路：升压+直流化 Main电路：SW电源 电流 电压 + IC IC Si-FRD SiC-SBD 200 1000 200 1000 Di 電流 Di 電圧 V 800 160 Di 電流 Di 電圧 160 800 120 600 120 600 80 损失 400 80 400 I 40 200 40 200 0 0 0 0 -40 -200 -40 -200 -80 -400 -80 -400 0 100 200 300 400 時間 [nsec] 0 100 200 300 400 時間 [nsec] 顺?逆 切换时的过渡电流大幅消减 恢复损失1/10！ SiC-SBD的使用可以使PFC电路高速化。? 使扼流线圈小型化 。 Confidential c 2009 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved R-TR-100707-JJ PFC电路 SiC-SBD的优点(EMI篇） Confidential 6 ?Si-FRD vs SiC-SBD PFC电路：升压+直流 化 Main电路：SW电源 电流 电压 + IC IC Si-FRD SiC-SBD 200 160 Di 電流 Di 電圧 V 1000 800 这个部分的di/dt与EMI关系。 电压EMI=L×di/dt 200 160 Di 電流 Di 電圧 1000 800 120 600 120 600 80 40 I 损失 400 200 顺?逆 切换时的过渡电流大幅消减 恢复损失1/10！ 80 40 400 200 0 0 0 0 -40 -200 -40 -200 -80 -400 0 100 200 300 400 時間 [nsec] 逆回复时间 因为trr变小 电压EMI＝L×di/dt 也变小。 -80 -400 0 100 200 300 400 時間