晶体三极管输入和输出特性讲解学习.pptVIP

截止区（ VBE? 0.5V， VCE ? 0.3V） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点： 条件： 发射结反偏，集电结反偏。 IC ? 0，IB ? 0 近似为IB≤0以下区域 返回输出特性曲线 第六章 分立元器件基本电路 2.1 晶体三极管输入和输出特性 2.1.4 三极管的输入和输出特性 2.1.5 三极管主要参数 2.1.6 三极管的简单测试 1.5.3 特性曲线 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 下一页 上一页 首 页 一、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 1.5 下一页 上一页 首 页 3、三极管共射组态的输入特性曲线 BJT的输入特性曲线为一组曲线 ib (μA) uBE U（BR）EBO ICBO＋ICEO UCE=0 UCE=1 UCE=10 iB (μA) uBE UCE=0 UCE=1 UCE=10 2.1.4 三极管的输入和输出特性 集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基