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美国SA公司测试设备 250A 350A 350B 250B 香港科研公司测试设备 KH1200 KH1102 KH3020 KH3288 石英晶体应用过程中应注意的问题 防止对晶体破坏 石英晶体的心脏部件为石英晶片，它随晶体频率的增加而变薄，因此对于中、高频晶体在使用、运输过程中应避免发生剧烈冲击和碰撞。以防因晶片破裂而造成产品失效。 石英晶体是靠导电胶连接基座和晶片的。导电胶的主要成分是银粉和环氧树脂。环氧树脂在高温下会失效。因此建议石英晶体应避免在150℃以上长时间存放。 规定工作温度范围及频率允许偏差 工程师可能只规定室温下的频差。对于在整个工作温度范围内要求给定频差的应用，还应该规定整个工作温度范围的频差，规定这种频差时，应该考虑设备引起温升的容限。 规定整个工作范围内频差的基本方法有两种： ⑴规定整个温度范围内的总频差，如：-20-70℃范围总频差为±50ppm，这种方法一般用于具有较宽频碴而不采用频率微调的场合。 ⑵规定下列部分的频差： a.基准温度下的频差为±20ppm； b.在-20-70℃整个温度范围内，相对于基准温度实际频率的偏差 ±20ppm； 这种方法一般用于具有较严频差的，要靠频率牵引来消除基准温度下频差的场合。 负载电容和频率牵引 在许多应用中，都是用一负载电抗元件来牵引晶体频率的。这对于调整制造公差、在锁相环回路中以及调频应用中可能是必要的。 在绝大多数应用中，这个负载电抗元件是容性的。 负载谐振频率（FL）与谐振频率（Fr）的相对频率成为“负载谐振频率偏置（DL）”。 用下式计算相对负载谐振频率偏移： DL=(FL-Fr)/Fr ≈C1/2（C0＋CL） 在许多应用中，用可变电容器作为负载电抗元件来调节频率。这个负载电抗元件规定值之间所得到的相对频率范围成为“相对牵引范围”，它可用下式计算： D(L1,L2)=│(FL1-FL2)/Fr│=│C1(CL2-CL1)/2(C0+CL1)(C0+CL2)│ 在规定负载电容下的牵引灵敏度（TS）是一个对设计师十分有用的参数。 它定义为负载电容增量变化引起的相对频率增量变化。 它通常以ppm/pF表示,可通过下式计算： TS≈-C1/ 2（C0+CL） 应用电路中对晶体负载电容的估算 在实际应用中，晶体负载电容与电路中负载电抗的匹配非常重要。如晶体负载电容与电路负载电抗不相匹配，要得到准确的输出频率是很困难的，除非电路中存在一个变容量很大的可调电容器。在设计时，粗略估算晶体负载电容是必要的。如图所示： 负载电容简单近似计算如下： CL≈（C1C2 /（C1+C2））+C杂散 这里C杂散指晶体元件周边电路的分布电容。资料介绍PCB电路板的分布电容多为5-6pF 。 晶 体 振 荡 器 功能 基本装置 振荡功能 附加电压（analog） 控制功能 附加Digital 功能 直接利用石英振荡器晶体的特性 SPXO VCXO DC-VCXO 补偿频率温度特性而加以利用 TCXO （模拟） DTCXO（数字） VC-TCXO VC-DTCXO DC-TCXO 在恒温槽内控制温度而加以利用 OCXO VC-OCXO DC-OCXO 晶体振荡器定义 ?? Package石英振荡器（SPXO） 不施以温度控制及温度补偿的石英振荡器。频率温度特性依靠石英振荡晶体本身的稳定性。 温度补偿石英振荡器（TCXO） 附加温度补偿回路，减少其频率因周围温度变动而变化之石英振荡器。 电压控制石英振荡器（VCXO）控制外来的电压，使输出频率能够变化或调变的石英振荡器。 恒温槽式石英振荡器（OCXO）以恒温槽保持石英振荡器或石英振荡晶体在一定温度，控制其输出频率在周围温度下也能保持极小变化量之石英振荡器。 除了以上四种振荡器外，随着PLL、Digital、Memory技术的应用，其他功能的多元化石英振荡器也快速增加 石英晶体常规技术指标 标称频率 晶体元件规范所指定的频率。 调整频差 基准温度时，工作频率相对于标称频率的最大允许偏离。常用ppm（1/106）表示。 温度频差