第三章-LED的结构、特性.pptVIP

第三章 LED的结构和特性 内容简介 1、LED的封装结构 2、LED芯片的结构 3、LED的电学特性 4、LED的光学特性 5、LED的热学特性 6、LED的静电防护 7、LED的可靠性指标 1、LED的封装结构（封装方式） 直插式（引脚式）封装结构 表面贴装式封装结构 食人鱼式封装结构 平面式封装结构 功率型封装结构 2、LED芯片的结构 3、LED电学特性 LED是一由半导体无机材料构成的单极性PN结二极管，它是半导体PN结二极管中的一种，除了具有发光特性之外，还具有普通半导体整流二极管的特性。LED电学特性包括： LED的伏安（V-I）特性； 正向电流、正向电压、反向电流和反向电压； 耗散功率、允许功耗； 电容-电压（C-V）特性等。 LED必须在合适的电流电压驱动下才能正常工作。 伏安（V-I）特性 电压-电流之间的关系称为伏安特性，是LED芯片性能主要参数。V-I特性具有非线性、整流（单向导电，即外加正偏压）性质。 正向死区：oa段； 正向工作区； 反向死区； 反向击穿区。 正向电流：包括正向工作电流IF，最小工作电流 IFL，最大容许正向电流IFM，最大容许正向脉冲 电流IFP ； 正向电压VF ：在给定的IF，LED的正向电压降； 反向电压VR：LED能承受的最大反向电压； 反向电流IR：在最大VR情况下，流过LED的电流 耗散功率PD： PD= IFVF 允许功耗PDM ： PDM= IFMVFM C-V特性 LED的C-V特性， 呈现二次函数关系。 响应时间：LED点亮与熄灭所延迟的时间。 LED点亮时间：指接通电源使发光亮度达到正常的10%开始，一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间。 LED 熄灭时间——指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。 4、LED光学特性 LED的光学特性主要包括：光谱分布和峰值波长、发光强度、光谱半宽度、半值角和视觉等。 单色LED的光谱为单一波峰，特性以峰值波长和带宽表示，而白光LED的光谱由多种单色光谱合成。 主波长：有的LED发光不单是单一色，即不仅有一个峰值波长，甚至有多个峰值，并非单色光。为此描述LED色度特性而引入主波长。主波长就是人眼所能观察到的，由LED发出主要单色光的波长。单色性越好，则λp也就是主波长。 1----蓝光InGaN/GaN，发光谱峰λp = 460～465nm 2----绿光 GaP:N，发光谱峰λp = 550nm 3----红光 GaP:Zn-O，发光谱峰λp = 680～700nm 4----红外GaAs，发光谱峰λp = 910nm 5----Si光敏光电管，通常作光电接收用 6----标准钨丝灯 5、LED热学特性 目前LED只有20%~30%能量转化为光能，而其它的能量会转换成热能。随着LED功率的提高，器件工作时的热流密度相应增加，直接导致芯片温度和热应力加大，影响LED的性能、寿命、可靠性和稳定性。 LED的光学参数与PN结结温有很大的关系。一般工作在小电流＜10mA，或者10~20 mA长时间连续点亮LED温升不明显。若环境温度较高，尤其是点阵、大显示屏的温升对LED的影响很大。 LED测量的环境温度一般为Tamb＝25℃。 随着温度的增加，LED波长的中心会发生蓝移或红移 随着温度的增加，LED的光强将会减小 LED光通量输出与结温度之间的关系可以表示为： 其中：ΦV(tj1)、ΦV(tj2)分别为结温为tj1、tj2时LED的光通量； K是与发光材料有关的温度系数 LED的主波长随温度关系可表示为： 可知，当结温升高10℃，则波长向长波漂移1nm，且发光的均匀性、一致性变差。这对于作为照明用的灯具光源要求小型化、密集排列以提高单位面积上的光强、光亮度的设计尤其应注意用散热好的灯具外壳或专门通用设备、确保LED长期工作。 静电的产生方式 摩擦：任何两个不同材质的物体接触后再分离，即可产生静电，而产生静电的最普通方法，就是摩擦生电。材料的绝缘性越好，越容易摩擦生电。 感应： 针对导电材料而言，因电子能在它的表面自由流动，如将其置于一电场中，由于同性相斥，异性相吸，正负电子就会转移。 传导：针对