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光耦的设计及电气特性解析 Hu Xin July ,2009 1 2009/7/14 题外话 ? 器件在电源设计中的重要性 ? 器件成本与性能的平衡 ? 器件封装,成本与PCB空间的平衡 ? 设计的裕量—器件各项性能的tolerance Contents ? 光耦主要电气规格的定义与解释 ? 光耦CTR变化对设计的影响 ? 光耦的寿命计算 ? 光耦的小信号特征及其对环路的影响 ? 提高设计效率的建议 3 2009/7/14 ? 光耦主要电气规格的定义与解释 4 2009/7/14 ? 光耦主要电气规格的定义与解释 FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILD TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY 25009/7/14 2009/7/154 ? 光耦主要电气规格的定义与解释 用处:基于电气绝缘的信号传递 光耦包括一个光发射二极管(LED),及NPN phototransistor. 下图显示了常见光耦的原理图，图B是一个展开的原理图，包括B-C间的光 检测器。 LED电流IF会产生一个optical flux，而被光二极管检测，光二极管会产生 一个photocurrent,Icb, 被phototransistor放大。 Phototransistor会提 供C-E电流，Ice, 器件的电流增益被定义为CTR。 Phototransistor coupler schematic 6 2009/7/14 ? 光耦主要电气规格的定义与解释--Absolute Maximum Ratings VISO（Isolation Voltage） 指光耦输入和输出PIN之间所允许通过的最大交流电压值，表示为RMS值。 确保光耦一定的绝缘阻抗。 一般情况下，此定义只是保证有限测试时间，例如1分钟，而不是无限制的。 FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILD TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY 7 2009/7/14 ? 光耦主要电气规格的定义与解释--Absolute Maximum Ratings Operating Ambient Temperature:TA(°C) 器件正常工作所允许的温度范围。 通常当环境温度上升时，器件所能承受的功耗会下降 对光耦来说，此处所指的温度不是指器件表面的温度，而是指器件周围的 环境温度。 Tj:器件的结温定义 (=环温+热阻*功耗)。 FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILD TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY 2009/7/184 ? 光耦主要电气规格的定义与解释--Absolute Maximum Ratings Light Emitting Diode: Forward Current:IF(mA) 发光二极管所能允许的最大电流，保证环温25C时LED功耗不会导致其损坏。 FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILD TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY 2009/7/14 2009/7/194 ? 光耦主要电气规格的定义与解释--Absolute Maximum Ratings Light Emitting Diode: Reverse Voltage:VR(V) LED 所能承受的最大反向电压。当超过此电压时，发光二极管会突然有反 向电流流过，此时，LED无法发光。 另外，当有反向电流流过时，可能导致此后发光效率会降低。因此，此反 向电压超过此规格时，会导致光耦损坏或不可恢复的降额发生。 对允许AC电流输入形式的光耦来说，不存在此规格。 FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler from FAIRCHILD TCMT1100 Series/TCMT4100 Series from VISHAY 2009/7/14 2009/7/1104 ? 光耦主要电气规格的定义与解释--Absolute Maximum Ratings Light Emitting Diode: Power Dissipation:PD(mW) 25度环温时光耦原边LED所允许的最大功耗。 一般来说环温增加时，LED所能承受的功耗值降低。 FODB100/1/2 Single Channel Micro coupler