固体物理4固体的电性质7.docVIP

非平衡载流子 在外界的作用下，半导体中的电子浓度n和空穴浓 度p有可能偏离平衡值。 np ? n 2 i 大于：存在过剩载流子 小于：载流子不足 例如半导体的本征光吸收产生电子—空穴对，超出 热平衡状态的多余载流子，称为非平衡载流子。 电子空穴对的产生 ? 产生 ： ? 电子受热激发，从价带跃迁进入导带 ? 高能光子入射 ? 激发价带电子跃迁到导带，产生电子- 空穴对 ? 外界电子-空穴对的注入（后面介绍的PN 结） ? 造成额外的多余电子-空穴对 2 非平衡载流子的产生 例子：光照下半导体的本征光吸收 非平衡载流子浓度描述?n ? 用?n＝n－n0，?p＝p－p0分别表示超出热平衡 的多余电子和空穴浓度，这些偏离平衡状态的 电子和空穴浓度，即非平衡载流子浓度 ? 注意：浓度差有意义，但载流子本身并无区别 ? 通常情况下，根据电中性要求，有?n＝?p 准费米能级描述非平衡状态 - 热平衡条件下 n 0 p 0 ? ? n i n i E E ? exp ( F Fi kT E E ? exp ( Fi F kT ) ) - 有过剩载流子条件下，少子浓度变化大， 用准费米能级表征 n 0 ? ? n ? n i exp ( E ? Fn kT E Fi ) p 0 ? ? p ? n i exp ( E Fi ? E Fp kT ) 5 非平衡载流子：少子为重 非平衡载流子在数目上对多子和少子的影响显然是不 同的。多子的数量一般都很大，非平衡载流子不会对 它有显著影响。但对少子来说，数量的变化将非常明 显 因此，在讨论非平衡载流子时， 常常最关心的是非平衡的少数载流子 载流子的产生与复合 ? 载流子速率方程，描述载流子浓度变化 – 产生项，载流子浓度增加 – 复合项，载流子浓度减小 ? 热平衡状态 – 产生项=复合项 ? 稳定状态 – 产生项=复合项 – 存在非平衡载流子产生时，复合项会增加 载流子产生率G：热或光激发 ? 对于半导体而言 – 导带基本上为空带 – 价带基本为满带 – 热激发几率基本上不受载流子浓度的影响 ? 热激发产生率与温度有关，与n、p无关 – 光子激发几率 ? 与温度无明显的关系 ? 光子能量、禁带宽度、能带结构有关 8 电子空穴对的复合率R 在产生非平衡载流子的同时，也存在着载流子的复合过程， 即导带中的电子回落到价带上，与价带中的空穴复合，使 电子—空穴对湮灭。这是从非平衡恢复到平衡的自发过程。 ? 热平衡指的是电子—空穴对的不断产生与复合的动态平衡 ? 当有非平衡载流子存在时，这种动态平衡被破坏了，这时复 合的几率将大于产生的几率 ? 净复合率＝复合率－产生率= R - G 9 电子空穴对的复合（1） ? 直接复合： – 电子直接与空穴进行复合 ? 电子从导带自动直接跃迁回价带的过程 – 复合率 R ? 与空穴浓度呈正比，与电子浓度呈正比 R ?? ? ? ?? 2 r n p n r i ? R 为复合几率，与电子空穴运动总速度有关， 与温度有关，与载流子浓度无关 10 直接复合 ? 辐射复合 – 直接带隙的带间跃迁 – 间接带隙材料中声子辅助的复合 ? 非辐射复合 ? 俄歇复合 ? 能量交给其他电子或空穴产生 跃迁，不产生发光 ? 带隙越小，俄歇复合几率越高 11 俄歇复合 C Band C Band C Band 4 2 3 1 1 E g E g 2 ? so 3 HH Band 1 HH Band Eg 2 3 HH Band 4 4 SO Band LH Band CCCH Process CHHS Process CHHL Process 12 电子空穴对的复合（2） ? 间接复合 – 通过杂质能级的间接复合（与杂质浓度呈正比， 与非平衡载流子浓度呈正比，深能级更强） 13 电子空穴对的复合（2） ? 间接复合 – 表面复合中心 ? 表面的杂质和缺陷可形成禁带深能级复合中心， 造成严重的漏电流 ? 解决办法： –良好而稳定的表面（光滑） ?比如，粗糙的表面载流子寿命短，抛光光 滑的样品载流子寿命长得多 –采用介质材料镀膜，进行表面钝化，以避免环 境污染、反应等增加表面缺陷和杂质的问题 14 速率方程：平衡状态下的产生和复合 ? 电子/空穴产生的速率与复合的速度一定相等 – Gn0? Gp0= Rn0? Rp0 – 电子复合速率与空穴复合速率相等 15 非平衡（过剩）载流子破坏平衡 ? 左图中包含 – 平衡载流子n0, p0 – 多余的?n和?p为超出热平衡的过剩载流子，称为非 平衡载流子 – ?n??p ? 显然平衡条件破坏 – n=n0+?n – p=p0+?p – npni2 问题：本征光吸收产生非 平衡载流子 当光子撤去，如何变化？ 16 非平衡载流子的复合