结型场效应晶体管和金属半导体场效应晶体管.docVIP

第五章 结型场效应晶体管和 金属半导体场效应晶体管 一、名词 术语 概念 问题 ? 场效应：利用电场使半导体电导改变的效应。 ? 单极器件(unipolar devices)：主要靠一种载流子传输电 流的器件 ? 沟道夹断：栅结空间电荷区完全扩展进沟道，以至于导电 沟道完全被耗尽自由载流子的耗尽区所充满的现象。沟道 夹断首先发生在漏端（x＝L处）（夹断点）。随着栅偏压 或漏电压的增加夹断点向源端移动。 ? 夹断电压：形成沟道夹断时的外加电压（ VP ）。 ? 内夹断电压：沟道夹断时的总电压（ ）。 V P0 ? 漏极导纳：漏极电流对漏极电压的变化率，它反映了JFET 的输出特性。 ? 跨导：漏极电流对栅极电压的变化率，它反映了JFET的转 移特性 ? 栅极总电容：在栅PN结在反偏压下的结电容 k ε C 2ZL 0 = G W k ε = = 在V 0，并处于夹断条件时，栅电容为 C 4ZL G G 0 a ? 截止频率：JFET不能再放大输入信号（当通过输入电容的 电流与输出的漏极电流相等时，达到增益为1）时的最高频 率。 ? 沟道长度调制效应：夹断条件规定为两个空间电荷区在沟 道中心相遇。当漏极电压进一步增加时，沟道中更多的自 由载流子耗尽。结果是耗尽区的长度增加，电中性的沟道 长度减小。这种现象称为沟道长度调制效应。在沟道中心， 外加漏极电压这时由耗尽区和电中性区分摊，由电中性的 V ? 沟道区承受电压 ， 并VP 由耗尽的沟道区承受电压 D V P ? 由于被减短的电中性沟道长度承受着同样的 V ，因而，对 P 于夹断后的任何漏极电压，都会使漏极电流略有增加。由 于这个原因，夹断后的漏极电流不是饱和的，且漏极电阻 为有限。 ? 画出结构示意图，简述JFET得工作原理（图5.1a、b两图任 画一个即可）： 答：采用标准的平面外延工艺制成的理想 JFET 示于图5-1a 中。下边的重掺杂 + 层为衬底。在 衬底上外延生长轻掺 P + P + 杂的N型层。上边的重掺杂 P 层是通过向N型外延层中扩散 硼形成的。器件的有源区为夹在两个 层之间的N型层。有 + P 源层也称为导电沟道。上下两个 区不是被内连接就是被 + P 外连接以形成栅极端。连接在沟道两端的欧姆接触分别称 为漏极端和源极端，通过它们流过沟道电流。源极发射载 流子，漏端收集载流子 。 另外，还可以采用双扩散技术制造JFET，该技术通过扩 散形成沟道和上栅，如绘于图5-1（b）中的情形。 由于沟道掺入的是施主杂质，沟道电流由电子传输，所 以这里表示的结构称为N沟道JFET。倘若沟道是受主原子掺 杂而栅区为N + 型，则沟道电流是由空穴传输的。此种器件 称为P沟道JFET。由于电子的迁移率比空穴的高，N沟道器 件能提供更高的电导和更高的速度，它在大多数应用中处 于优先地位。 在正常工作条件下，反向偏压加于P-N栅结的两侧，使得空 间电荷区向沟道内部扩展，并使耗尽层中的载流子耗尽。 结果是，沟道的截面积被减小，因而沟道电阻增加。这样， 源和漏之间流过的电流就受到栅电压的调制。这就是 JFET的基本工作原理。 源极 上栅极 漏极 源极 栅极 漏极 Z Z 下栅极 （b） （a） 图5-1 由两种工艺制成的沟道JFET （a）外延—扩散工艺 （b）双扩散工艺 ? JFET MESFET 与 相比 有哪些特点？ 答：（1）MESFET工艺简单。M－S工艺允许把沟道长度做得更短，使 得结电容更小，有利于提高器件的开关速度和工作频率；（2） MESFET多用砷化镓材料制做，砷化镓的电子迁移率大约是硅的六倍， 因此可以制造出高频、高速器件。 ? 什么是增强型和耗尽型JFET？ 答：耗尽型指JFET在栅偏压为零时就存在导电沟道，而欲使 沟道夹断，必须给P-N结施加反向偏压，使沟道内载流子 耗尽。增强型JFET同增强型MESFET一样，在栅偏压为零 时，沟道是夹断的，只有外加正偏压时，才能开始导电。 考虑到P沟和N沟两类导电沟道，则总共可有四种类型的 JFET和MESFET，即N沟增强型，N沟耗尽型，P沟增强 型和P沟耗尽型。 二 重要推导 ? 1.导出夹断电压的表达式 1 解：根据 ( ) 〔公式（2.23）〕，JFET加栅、 ? ∈ ψ + ? 2k V 2 W = R 0 0 ? ? ? qNd ? 2k V x V [ ( ) ] 1 2 ? ε +ψ ? ? W ? ? ( ) x = 0 0 G 漏电压之后， 〔公式（5.1）〕。在夹 qN ? ? d 断点，空间电荷区的宽度正好等于沟道的宽度，在上式中令 W= a 以及 ，可求得夹断电压： V ? = V G V P qa 2 N V +ψ = = P V 0 2 ε P 0 k 0 V VP0 式中