第7章IC工艺图形刻蚀技术.pptxVIP

第7章：图形刻蚀技术(Chapter 11);;问题： 常见的刻蚀对象：SiO2、Si3N4、Poly-Si、磷硅玻璃、铝或铝合金、衬底材料等 即：金属刻蚀、介质刻蚀、硅（半导体）刻蚀 ;;;Etch Bias、 Undercut 、 Slope and Overetch;;S = ;对刻蚀的基本要求： 图形的高保真：横向腐蚀和各向异性腐蚀 刻蚀剖面： 选择比：光刻胶和不同材料的腐蚀速度 关键尺寸（CD）控制 均匀性：小线条和大硅片 清洁：残渣沾污 损伤：;7.1.湿法腐蚀：即，化学腐蚀(S11.1) 8.1.1 腐蚀液： SiO2： HF:NH4F:H2O=3毫升：6克：10毫升 （36°C） Al： H2PO4、70~80 °C、乙醇稀释 Si3N4：H2PO4、 H2PO4：HNO3=3：1 （ SiO2膜） HF （Cr膜） 其它 定向腐蚀(P265~263) ;;;7.1.2 刻蚀中的质量问题： 图形畸变：曝光时间、显影时间、刻蚀速度 浮胶：粘附、前烘时间、曝光时间、 显影时间、刻蚀速度、腐蚀液 毛刺和钻蚀：清洁、显影时间、腐蚀液 针孔：膜厚不足、曝光不足、清洁、掩膜版 小岛：曝光、清洁、湿法显影、掩膜版 湿法腐蚀工艺的特