第4章IC工艺之离子注入.pptxVIP

第四章：离子注入技术;问题的提出： 短沟道的形成？ GaAs等化合物半导体？（低温掺杂） 低表面浓度？ 浅结？ 纵向均匀分布或可控分布？ 大面积均匀掺杂？ 高纯或多离子掺杂？ ;要求掌握： 基本工艺流程（原理和工艺控制参数） 选择性掺杂的掩蔽膜（Mask） 质量控制和检测 后退火工艺的目的与方法 沟道效应 在器件工艺中的各种主要应用 离子注入技术的优缺点 剂量和射程在注入工艺中的重要性 离子注入系统的主要子系统 ;CMOS Structure with Doped Regions;Ion Implant in Process Flow;4.1. 离子注入原理 4.1.1. 物理原理(P.90-98) 通过改变高能离子的能量，控制注入离子在靶材料中的位置。 ;重离子在材料中与靶原子的碰撞是“弹性”库仑散射; 级联散射;Energy Loss of an Implanted Dopant Atom;能量损失： 散射路径R，靶材料密度?，阻止本领S;能量损失;注入离子的分布N（x）（无电子散射） 注入剂量?0（atom/cm-2），射程：Rp 标准偏差?Rp ; 对于无定型材料， 有： 为高斯分布 97页 图4.8 ;平均射程;Page 107;多能量、