现代集成电路制造工艺原理-第十一章.pptxVIP

现代集成电路制造工艺原理;第十一章 淀积;薄膜和薄膜淀积;薄膜特性;膜对台阶的覆盖;高的深宽比间隙;;厚度均匀性，膜纯度和密度;化学剂量分析，膜的结构，膜的粘附性;薄膜生长;膜淀积技术;化学气相淀积（CVD）;CVD 化学过程;CVD反应 ;CVD反应步骤;速度限制阶段;CVD气流动力学;CVD反应中的压力;CVD过程中的掺杂;CVD过程中的掺杂;CVD过程中的掺杂;CVD过程中的掺杂;CVD反应器加热;CVD反应器配置;;常压CVD（APCVD）;常压CVD（APCVD）;低压CVD（LPCVD）;低压CVD;氮化硅;多晶硅;等离子体辅助CVD;等离子体增强CVD （PECVD） ;等离子体增强CVD （PECVD） ;等离子体增强CVD （PECVD） ;高密度等离子体CVD;高密度等离子体CVD;旋涂绝缘介质（SOD）;外延;外延 ;气相外延 （VPE）;金属有机CVD （MOCVD）;分子束外延（MBE）;1、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。5月-205月-20Sunday, May 24, 2020 2、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。12:54:5512:54:5512:545/24/2020 12:54:55 PM 3、越是没有本领的就越加自命不凡。5月-2012:54:5512:54May-2024-May-20 4、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。