4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 N 沟道增强型 MOSFET 的特性曲线 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 五、各种场效应管的比较 4 场效应管放大电路 六、场效应管使用注意事项 ? P 衬底接低电位, N 衬底接高电位;特殊电路 中,源极与衬底相连。 ? 通常 FET 的源极与漏极可以互换,其 V-I 特性 没有明显变化,但有些产品出厂时已将源极与 衬底相连,此时不能源极与漏极互换。 ? JFET 的栅极电压不能接反,可开路状态下保 存; MOSFET 各电极短路保存。 ? 焊接时,电烙铁需有外接地线,获断电后焊接。 4 场效应管放大电路 作 业 P190 : 4.1.2 ; 4.1.3 ; 4.3.1 。 4 场效应管放大电路 4.4 场效应管放大电路 4 场效应管放大电路 4.4.1 FET 的直流偏置电路及静态分析
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