半导体器件基础与二极管电路资料.ppt

2. PN 结的单向导电特性 PN 结 加上正向电压 、 正向偏置 的意思都是 ： P 区 加正、 N 区加负电压。 PN 结 加上反向电压 、 反向偏置 的意思都是： P 区 加负、 N 区加正电压。 一、 PN 结正向偏置 － － － － + + + + R U f 内电 场 外电 场 变薄 P N + _ 内电场被削弱，多子的 扩散加强能够形成较大 的扩散电流。扩散电流 远大于漂移电流，可忽 略漂移电流的影响， PN 结呈现低阻性。 (1) 当 0 ≤ U f ＜ U T 时， U T 为死区电压，或称门坎 电压。这时由于外电场还不足以克服内电场对载 流子扩散所造成的阻力，所以正向电流 I f 几乎为零， PN 结呈现出一个大电阻，好像有一个门坎。 (2) 当 U f ≥ U T 后，这时在外电场的作用下，内电 场被大大削弱，多子不断地向对方区域扩散，且 进入空间电荷区后，一部分空穴会与负离子中和， 一部分电子会与正离子中和，使空间电荷量减少， PN 结变窄。 空间电荷区中载流子数量的增加，相 当于 PN 结电阻的减小。这样，载流子就 能顺利地越过 PN 结，形成闭合的回路， 产生较大的正向电