Q_FJJA 003-20204寸铌酸锂晶片.pdf

Q/FJJA 福建晶安光电有限公司企业标准 Q/FJJA 003-2020 4 寸铌酸锂晶片 2020-03-23 发布 2020-03-23 实施 福建晶安光电有限公司发布 Q/FJJA 001-2020 前 言 本标准所有内容符合强制性国家标准、行业标准及地方标准，若与其相抵触时，以国家标准、行业 标准及地方标准为准。本企业对本标准的合法性、真实性、准确性、技术合理性和实施后果负主体责任。 为保证产品质量以及为产品出厂检验与交付提供依据，根据国家和行业的有关要求，结合用户需求， 特制定本企业标准。 本标准参照GB/T 1.1-2009 要求编写。 本标准由福建晶安光电有限公司提出。 本标准由福建晶安光电有限公司负责起草。 本标准主要起草人：刘艺霖。 I Q/FJJA 001-2020 4 寸铌酸锂晶片 1 范围 本标准规定了4 寸铌酸锂晶片的制造规格、检验规则、标志、包装、运输、贮存等要求。 本标准适用于我司生产的4 寸铌酸锂晶片，用作制造声表面波 （SAW）滤波器衬底。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 IEC 60410：1973 按属性检查的抽样计划和程序 GB/T 30118 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法 3 定义和术语 下列术语和定义适用于本标准。 3.1 铌酸锂LN 采用 Czochralski （提拉法）或其他生长方法生长的，单晶化学式为 LiNbO3 的单晶晶体。 3.2 居里温度 晶体铁电相和顺电相之间的相变温度，通过差热分析（DNB）或介电测量。 3.3 切向角度 晶体学取向通过 X 射线衍射确定。 3.4 基准面 (orienNbtion flat, OF) 标明晶体方向的晶片外缘的平直部份。基准面通常与SAW 传播方向垂直，亦称为”主基准面或主平 边”(如图1) 图1.晶片示意图 3.5 第二基准面 (secondary flat, SF) 晶片外缘上，明显短于OF 的另一条平直面。SF 用于确定晶片的极性方向，并且能够用来辨别不同 1 Q/FJJA 001-2020 的晶片切型，亦称为”附基准面或次平边”(见图1) 3.6 平坦度 Flatness 3.6.1 合格质量区 (fixed quality area, FQA) 扣除定义值的边缘无效带后的晶片中心区域，称之合格质量区，该无效区大小可以自定义。 3.6.2 参考平面 (reference plane) 平面度测量要求规定的某个既定平面，它可以是以下平面之一: a) 在晶片背面吸附测量中与晶片背面相接触的承载平面； b) 在FQA 区域内，晶片正面特定位置上的三个点； c) 在晶片正面的FQA 区域内，由全部测量点通过最小二