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第二步：推进扩散 扩散工艺 (1) 先进行恒定表面源的预淀积扩散(温度低，时间短)， 扩散很浅，目的是控制进入硅片的杂质总量； (2) 以预扩散杂质分布作为掺杂源再进行有限表面源的推进扩 散，又称主扩散，通过控制扩散温度和时间以获得预期的 表面浓度和结深（分布）。 为获得足够浅的预淀积分布，也可改用离子注入方法取代预扩散步骤。 第一步：预淀积扩散 “预淀积扩散”+“推进扩散”的两步扩散法 整个扩散工艺过程 清洗硅片 预淀积 测试 开启扩散炉 推进、激活 预淀积 温度：800~1000℃ 时间：10~30min 预淀积的杂质层 推进 温度：1000~1250℃ 结深 预淀积的杂质层 激活 稍微升高温度 替位式杂质原子。 杂质原子 激活 √ ■ 横向扩散的存在影响IC集成度，也影响PN结电容。 实际扩散分布的分析(与理论的偏差) 1、横向扩散：杂质在纵向扩散的同时，也进行横向的扩散 ■ 一般横向扩散长度是纵向扩散深度的0.75 - 0.85； ■ 当杂质浓度 ni，时， hE = 1 ■ 当杂质浓度 ni，时， hE = 2 2、内建电场的影响 空间电荷层 自建电场 扩散+漂移。 有效扩散系数Deff 氧化增强