2 半导体三极管及放大电路基础;2.1 半导体三极管;2.1.1 BJT的结构简介; 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。; 结构特点:;; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏
集电结反偏; 扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。;2. 电流分配关系;其中;;3. 三极管的三种组态;共基极放大电路;+; 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流??够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。
实现这一传输过程的两个条件是:
(1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。
(2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。;2.1.3 BJT的V-I 特性曲线;饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.7V (硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。;晶体管的三个工作区域;2.1.4 BJT的主要参数;(2) 共发射极交流电流放大系数?
;1. 电流放大系数 ; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO
ICEO=(1+ )ICBO ;
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