微电子器件与IC设计 (1).pptx

;绪 论;;;;1. 晶体管的发明 1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组, W. Schokley肖克莱，J. Bardeen巴丁、W. H. Brattain布拉顿。Bardeen提出了表面态理论， Schokley给出了实现放大器的基本设想，Brattain设计了实验。1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管;肖克莱( William Shockley);二战结束时，诸多半导体方面的研究成果为晶体管的发明作好了理论及实践上的准备。1946年1月，依据战略发展思想，Bell实验室成立了固体物理研究组及冶金组，开展固体物理方面的研究工作。在系统的研究过程中，肖克莱根据肖特基的整流理论，预言通过“场效应”原理，可以实现放大器，然而实验结果与理论预言相差很多。经过周密的分析，巴丁提出表面态理论，开辟了新的研究思路，兼之对电子运动规律的不断探索，经过多次实验，于1947年12月实验观测到点接触型晶体管放大现象。第二年1月肖克莱提出结型晶体管理论，并于1952年制备出结型锗晶体管，从此拉开了人类社会步入电子时代的序幕。;?1956年诺贝尔物理学奖授予美国加利福尼亚州景山（Mountain View）贝克曼仪器公司半导体实验室的肖克莱（William Shockley，1910—1989）、美国伊利诺斯州乌尔班那伊利诺斯大学的巴