俄歇电子能谱AES.pptxVIP

俄歇电子能谱 三种最基本的表面分析方法 名称 俄歇电子能谱 X射线光电子能谱 二次离子质谱 AES XPS SIMS一次束电子 X射线 离子检测粒子俄歇电子 光电子 二次离子 EABC＝EA-EB-EC Ek＝hν-Eb m/e特点定量较好 带有化学位移信息 检测灵敏度高 分辨率高 表面损伤小 ppb缺点轻元素不能分析 分辨差 表面损伤 （X射线不易聚焦） 定量困难共同点：元素种类分析（成分分析、痕量分析）、表面分析 俄歇电子能谱 (Auger Electron Spectroscopy 简称AES) 一、简介 二、基本原理 三、定性及定量分析方法 四、俄歇谱仪介绍 五、主要应用 一般仪器原理示意图一、简介 当电子束照射到样品表面时，将有带着该样品特征 的Auger电子从样品表面发射。从Auger电子可以得到 如下信息： 发射的Auger电子能量 确定元素种类 Auger电子数量 元素含量 ＋电子束聚焦、偏转和扫描 元素面分布 ＋离子束溅射刻蚀 元素深度分布 AES是一种重要的材料成分分析技术。其最大特点是： Δ 信息来自表面 （3 - 30?） Δ 具有微区分析能力（横向与深度分辨率好） Δ 定量分析较好二、基础知识 1 . 俄歇效应 (1925年， 法国人 P. Auger) 用某种方法使原子内层电子(如K层)电离出去，内层出现空位。电离原子去激发可采用如下两种形式： Δ 辐射跃迁: 一外层电子填充空位后，发射出特征X射线 (例L3上电子填充K能级上空位，发出X射线Kα1) Δ 无辐射过程(即Auger过程)： 一外层电子填充空位，使 另一个电子脱离原子发射 出去 (例L1上电子填充K能级空位，同时L3上的电子发射出去， 称KL1L3俄歇跃迁)。特点： Δ 第二个电子在弛豫过程中释放的能量，须大于或 至少等于第三个电子的束缚能。 Δ 终态为二重电离状态。 Δ H和He只有一个K壳层，最多只有2个电子，无法 产 生Auger跃迁。 C-K跃迁 (Coster-Kronig跃迁)： 终态空位之一与初态空位处于同一主壳层内即 WiWpYq ( p i )超C-K跃迁： 两终态都与初态空位处于同一主壳层内即WiWpWq( p i，qi ) C-K跃迁速度快，△t小，由测不准原理 (△E)(△t) h， Δ E大，带来能量的分散，使谱线展宽。2. 俄歇电子能量 EABC = EA(Z) - EB(Z) - EC(Z) EA、EB、EC分别为A、B、C能级上电子的结合能，是原子序数为Z的元素的函数，是该种元素原子所特有的，因此EABC也是该种元素特有的。 修正：EABC = EA(Z) - 1/2[EB(Z) + EB(Z+1)] - 1/2[EC(Z) + EC(Z+1)] 相邻原子序数 该能级的能量 特点：Δ一种原子可能产生几组不同能级组合的俄歇跃迁，因而可以有若干不同特征能量的俄歇电子。 Δ可能出现的俄歇跃迁数随原子序数增大(壳层数增多)而迅速增加。Δ 俄歇电子的能量大多在50-2000eV (不随入射电子能量改变)Δ主峰 通过实验和计算得到He以后所有元素的各组基本俄歇跃迁的特征能量。 3．俄歇电流 俄歇电流的大小，即俄歇峰所包含的电子数，表示所含元素原子的多少。 俄歇电子从固体表面的发射过程： △ 产生内层电离的原子－电子碰撞电离截面 △ 俄歇跃迁过程－俄歇跃迁几率 △ 俄歇电子从产生处输运到表面，从固体表面 逸出－逸出深度(1) 电子碰撞电离截面 QA 入射电子与原子相互作用时，内层能级A上产生空位的几率。 设 U = Ep / EA Ep: 入射电子能量 EA：内层能级束缚能 通过理论计算及实验测定，得到如下公式： QA =αEA-2(lnU/U) [?2] 可见： △ U必须 1 即Ep EA △ 曲线有最大值，当 U ≈2.7 时 (Ep为EA的2.7倍) △ 电离截面取决于束缚能 实验数值： 内层束缚能：1keV 入射电子能量：3-5keV U: 3-4(2) 俄歇跃迁几率 PR：X射线辐射几率 PA：俄歇电子跃迁几率 PR ＋PA ＝ 1 荧光几率与俄歇几率 (初态在K层) 对于Z≤15，采用K系列荧