清华大学-VLSI设计导论课件第四章逻辑设计技术教学幻灯片.pptVIP

第四章 逻辑设计技术 ; 第一节 MOS管的串、并联特性 晶体管的驱动能力是用其导电因子β来表示的，β值越大，其驱动能力越强。多个管子的串、并情况下，其等效导电因子应如何推导？ 一、两管串联： ;设：Vt相同，工作在线性区。 将上式代入（1）得： 由等效管得： ;二、两管并联： 同理可证，N个Vt相等的管子并联使用时： ; 第二节 各种逻辑门的实现 一、与非门： ;与非门电路的驱动能力 在一个组合逻辑电路中，为了使各种组合门电路之间能够很好地匹配，各个逻辑门的驱动能力都要与标准反相器相当。即在最坏工作条件下，各个逻辑门的驱动能力要与标准反相器的特性相同。 设：标准反相器的导电因子为βn=βp， 逻辑门：βn1=βn2=β’n βp1=βp2=β’p ;（1）a，b=1，1时，下拉管的等效导电因子：βeffn=β’n/2 （2）a，b=0，0时，上拉管的等效导电因子：βeffp=2β’p （3）a，b=1，0或0，1时，上拉管的等效导电因子：βeffp=β’p 综合以上情况，在最坏的工作情况下，即：（1）、（3），应使： βeffp=β’p=βp βeffn=β’n/2=βn 即要求p管的沟道宽度比n管大1.25倍以上。;二、或非门： ;(1)当a，b=0，0 时，上拉管的等效导电因子：βeffp