应变锗的结构参数.pdfVIP

第二章 应变 Ge 空穴能带结构参数 本章基于弛豫 Ge 得物理特性 ,研究应变 Ge 得形成机制 , 并分析应变对 Ge 能带结构 引起得结果 ,对比应变 Si 与应变 Ge 得相同点与不同点。 2、 1 应变 Ge 形成机理 在元素周期表中 ,锗 (Ge)正好位于金属与非金属之间。在化学上 ,锗尽管就是金属 ,但却具 有许多跟非金属相类似得性质 ,所以它被称为“半金属” ;在物理上 ,锗得导电能力比普通非金 属强 ,但却弱于普通金属 ,所以它被称为“半导体” 。锗被称为“稀散金属” ,并非因为它在地 球上得含量很稀少 ,而就是由于几乎没有比较集中得锗矿。锗得主要用途就是作为半导体工 业得重要原料。 本章将从锗晶体得晶格结构、 能带结构、 有效质量、状态密度与状态密度有 效质量这几方面分别讨论锗得半导体材料特性。 对于 Si 、Ge 等这类半导体来说 ,它们每个原子与四个最近邻原子都会组成正四面体 ,所以 当它们排成晶体时