Q_PW 98-2020半导体分立器件 D20N065HS表面贴装场效应晶体管 详细规范.pdf

Q/PW 重 庆 平 伟 实 业 股 份 有 限 公 司 企 业 标 准 Q/PW 98-2020 半导体分立器件 D20N065HS表面贴装场效应晶体管 详细规范 2019-12-05发布 2020-01-20实施 重庆平伟实业股份有限公司 发布 目 录 目 录 I 前 言 Ⅱ 1 范围1 2 规范性引用文件1 3 术语1 4 型号规格1 5 外形尺寸2 6 简略说明2 7 质量评定类别2 8 极限值3 9 电特性3 10 要求3 11 D组鉴定批准实验6 12 标志、包装、运输及贮存6 Ⅰ Q/PW 98-2020 前 言 本规范根据GB/T 15449—1995 《管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范》编制，并按GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》的规定对格式进行了修改。符合GB/T4589.1 —2006《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》、GB/T12560—1990《半导体器件 分立器件分规范》 Ⅰ类的要求。 除非另有规定，在本规范第8章中引用的条号对应于GB/T 4589.1—2006 《半导体器件 分立器件 和集成电路总规范》 （IEC 747-8：1984）的条号，测试方法引自GB/T 4586—94 《半导体器件 分立器 件 第8部份：场效应晶体管》 （IEC 747-8：1984）；试验方法引自GB/T 4937 《半导体器件机械和气 候试验方法》 （IEC 749：1984）。 本标准由重庆平伟实业股份有限公司提出并起草。 本标准由重庆平伟实业股份有限公司批准。 本标准主要起草人：杨鹏、王航 本标准于2019年12月05 日首次发布，2020年1月20 日实施。 本标准备案号： Ⅱ Q/PW 98-2020 半导体分立器件 D20N065HS表面贴装场效应晶体管详细规范 1 范围 本标准规定了D20N065HS表面贴装场效应晶体管 （MOSFET）产品的术语、型号规格、要求、试验方 法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等。 本标准适用于D20N065HS表面贴装场效应晶体管 （MOSFET）产品。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 191-2008 包装储运图示标志 GB/T