专升本《模拟电子技术》试卷.pdfVIP

[试题分类]:专升本《模拟电子技术》 [题型]:单选 [分数]:2 1.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.晶体管结电容不确定性 答案:C 2.稳压二极管的有效工作区是( )。 A.正向导通区 B.反向击穿区 C.反向截止区 D.死区 答案:B 3.如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工 作状态为( )。 A.放大状态 B.微导通状态 C.截止状态 D.饱和状态 答案:D 4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( )。 A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 D.不易制作大阻值的电阻 答案:C 5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( )。 A.抑制共模信号能力增强 B.差模放大倍数数值增大 C.差模输入电阻增大 D.差模输出电阻增大 答案:A 6.半导体中PN 结的形成主要是由于（ ）生产的。 A. N 区自由电子向P 区的扩散运动 B. N 区自由电子向P 区的漂移运动 C. P 区自由电子向N 区的扩散运动 D