MOSFET原理、功率MOS及其应用备课讲稿.pptVIP

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  • 2020-06-20 发布于浙江
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MOSFET原理、功率MOS及其应用备课讲稿.ppt

MOSFET原理介绍与应用田毅;内容概述原理介绍低频小信号放大;概述MOSFET(Metal-;耗尽型增强型P沟道N沟道P沟道;1 原理介绍增强型MOS场效应;MOS场效应管N沟道增强型的M;一、N沟道增强型MOS场效应管;当VGS较小时,虽然在P型衬底;当VGS>VT,且固定为某一值;当VDS增加到使VGD=VT时;三、N沟道增强型MOS场效应管;一、N沟道耗尽型MOS场效应管;耗尽型MOS管二、N沟道耗尽型;耗尽型MOS管三、N沟道耗尽型;各类绝缘栅场效应三极管的特性曲;绝缘栅场效应管 N沟道耗尽;场效应管的主要参数2. 夹断电;7. 低频跨导gm :反映了栅;2 场效应管放大电路场效应管偏;为什么要设定一个静态工作点无静;一、场效应管偏置电路1、自给偏;偏置电路改进型自给偏置电路大电;偏置电路2、外加偏置电路-ID;二、场效应管的低频小信号模型 ;三、三种基本放大电路1、共源放;基本放大电路IdGRGR1R2;基本放大电路IdGRGR1R2;ri基本放大电路2、共漏放大电;基本放大电路输出电阻Ugs+-;基本放大电路3、共栅放大电路S;基本放大电路电压增益AU≈ g;组态对应关系:CEBJTFET;输出电阻:BJTFET输入电阻;功率MOSFET结构功率MOS;功率MOS结构横向通道型:指D;a、在gate区有一个V型凹槽;寄生三极管: MOS内部;MOSFET开关过程等效电路输;MOSFET导通过程;4个过程充电等效电路;t0~t1:t0时刻给功率MO;T2~T3:T2时刻VDS下降;密勒效应密勒效应(Miller;MOSFET参数热阻:导热过程;静态电特性;动态电特性 E:\MOSFET;功率损耗1、传导损耗P1=ID;驱动电路电压 电压一定要使;MOSFET 驱动器的功耗 ;其它MOS漏极和源极之间有一个;MOSFET应用开关作用;无标题;显卡电源;converterinvert;谢谢!

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