10双极晶体管教学教案.pptVIP

10.2少子的分布 其他工作模式：截止和饱和时的少子分布 * 10.2少子的分布 其他工作模式：反向有源区 * 10.3低频共基极电流增益 电流成分＿粒子流 正偏电子流 反向饱电流 正偏复合电流 反偏产生电流 正偏空穴流 基区复合电流 * 10.3低频共基极电流增益 成分 电流 * 10.3低频共基极电流增益 直流共基极电流增益： 若集电结和发射结横截面积一样，则有： 小信号共基极电流增益： JG，Jpc0仅是B-C结电流，不是JE的函数 发射极注入效率系数 基区输运系数 复合系数 * * 10.3低频共基极电流增益 发射极注入效率系数 * 10.3低频共基极电流增益 基区输运系数 * 10.3低频共基极电流增益 复合系数 10.3低频共基极电流增益 共发射极电流增益 共基极电流增益 * * 10. 4非理想效应 基区宽度调制效应：Early效应 * 10. 4非理想效应 基区宽度调制效应 Early电压典型值在100-300V之间。 * 10. 4非理想效应 大注入效应 注入的少子比多子还多 Nb=Pp * 第10章双极晶体管 10．1双极晶体管的工作原理 10 ．2少子的分布 10．3低频共基极电流增益 10．4非理想效应 10．5等效电路模型 10．6频率上限 10．7大信号开关 * 10.1双极晶体管的工作原理 结构和符号 * 10.1双极晶体管的工作原理 IE IC IB VEC VCB VBE IE=IC+IB VEC=VEB+VBC=-VBE-VCB 四种工作模式VBE、VCB 正反、反反、反正、正正 正向有源 截止 反向有源 饱和 * 10.1双极晶体管的工作原理 剖面图 * 10.1双极晶体管的工作原理 基本工作原理 杂质浓度 * 回顾8.1 pn结电流　　　定性描述 * 正向有源模式 * 10.1双极晶体管的工作原理 截面图：注入和收集 * 10.1双极晶体管的工作原理 晶体管电流的简化表达式 简化电流 复合电流 正偏电流 空穴(B-E) 电子(E-B) * 10.1双极晶体管的工作原理 集电极电流 扩散电流 ABE为B-E结横截面积；nB0为基区内热平衡电子浓度；Vt为热电压。 只考虑大小： * 10.1双极晶体管的工作原理 发射极电流 ICIE均正比于VBE/Vt，因此电流之比为常数。 共基极电流增益。1 恒流源 * 10.1双极晶体管的工作原理 基极电流 也正比于 共发射极电流增益。1 * 10.1双极晶体管的工作原理 工作模式 IC=0时，晶体管处于截止区 当基极电流变化时，集电极电流没有变化，处于饱和区 当IC=βIB时，晶体管处于正向有源区 饱和区 放大区 截止区 * 10.1双极晶体管的工作原理 共射放大电路 放大电路波形 * 10.2少子的分布 * 10.2少子的分布 正向有源模式 * 10.2少子的分布 浓度 *