《半导体物理》习题答案第二章半导体中的杂质和缺陷能级.pdfVIP

半导体物理习题 第2 章 半导体中的杂质和缺陷能级 1、实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？ 答：实际半导体跟理想半导体的主要区别在于其中总含有一定数量的杂质和缺陷，这些杂质和缺陷 在其禁带中引入相应的能级，使其热平衡载流子密度偏离本征态 （即非零温度下的理想半导体 中n =p =n ，而实际半导体中n ≠p ≠n ）。 0 0 i 0 0 i 4 ．以Si 在GaAs 中的行为为例说明IV 族杂质在III －V 族化合物中可能出现的双性行为。 答：由于III －V 族化合物半导体的两种构成元素的价电子数分别为3 和5，因而价电子数为4 的IV 族杂质占据 III 族原子位置时多余一个电子而具有施主行为，占据V 族原子位置时则欠缺一个 电子而具有受主行为。以硅为例，当SI 替代Ga 原子时起施主作用，替代As 原子时起受主作用。 7 ．InSb 的相对介电常数 =17，电子有效质量m *=0.015m （m 为电子惯性质量）求①施主