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1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2. 杂质浓度，温度。 3. 少数载流子，(内)电场力。 4. 单向导电性，正向导通压降 U 和反向饱和电流 I。 F S 5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U），工作电流（I ），最大管耗（P ）和动态电阻（r ） Z Em in Zm ax Z 6. 增大; 7. NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。 8. 结型，绝缘栅型，多数，单极型。 9. 电压，电流。 10. 变大，变大，变小。 11. 各管脚对地电压; 12. 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。 13. 左移，上移，增大.。 【1-2】在图 1-2 的各电路图中，E=5V，u=10 sin ωtV，二极管 D 视为理