降压转换 器的选择标准.docxVIP

最新整理资料 文档精选合集 Application Note Roland van Roy AN033 – May 2015 降压转换器的选择标准 目录 TOC \o "1-2" \h \z \u 简介 2 降压转换器的基础知识 2 电压和电流额定值的选择 2 应用之输入电压 2 应用电流之消耗 3 轻载效率（PSM 型或强制 PWM 型） 4 开关频率注意事项 5 降压转换器控制架构的选择标准 6 电流模式-恒定导通时间 (CMCOT) 控制 7 其他降压转换器的选择标准 9 外部软启动 9 外部补偿 9 可设定频率 9 外部同步输入 9 低压差模式或 100% 责任周期模式 9 电源良好 (Power Good) 之功能： 9 过电流保护： 9 选择 IC 封装的注意事项 10 文档精选合集 降压转换器的选择标准 简介 立锜具有非常广的降压型 DC / DC（降压）转换器产品的组合，但要为您的应用选择合适的降压转换器，则非常具有挑战性。本指南将帮助您区分不同类型的降压转换器，并将特别介绍在为应用选择最佳的组件时， 所需考虑的主要参数。 降压转换器的基础知识 降压转换器是一种开关模式的降压型转换器，它能提供在高压降比 (VIN/VOUT) 和高负载电流下的高效率与高弹性。其基本电路如图一所示。大多数降压转换器的内部包含一个高侧 MOSFET 及由内部责任周期比之控制电路来切换的低侧同步整流 MOSFET，用以调节平均输出电压。其开关节点之波形由外部 LC 滤波器过滤；透过回授回路检测输出电压，并控制高侧 MOSFET 的责任周期，从而达到稳压功能。 非同部组件无内部低侧MOSFET，仅在外部开关节点到地之间连接一个肖特基二极管。  图一、降压转换器之基本电路 MOSFET 是在轮流切换的模式下，所以功耗很低； 而藉由控制 MOSFET 的责任周期，可达到高压降比 (VIN/VOUT)。内部 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 会决定降压转换器的负载能力，而 MOSFET 的额定电压则决定其最大输入电压。 电压和电流额定值的选择 应用之输入电压 在挑选合适的降压转换器时，首先要考虑的参数是输入电压范围。立锜的降压转换器主要可分为三类： LV 降压转换器：输入电压 (VIN) 范围为 2.5V 5.5V。 18V HV 降压转换器：输入电压 (VIN) 范围为 4.5V～18V。 HV 降压转换器： 输入电压 (VIN) 范围为 4.5V 至 36V。 图二、立锜降压转换器挑选流程 降压转换器的选择标准 许多 LV 降压转换器是适用于单节锂离子电池，但也可用于 5V 电源的应用中。 18V HV 降压转换器常用于 12V 电源的应用中，但因其具有宽电压范围，所以也能用于 5V 电源的应用。 21V / 23V / 24V 至 36V 的组件则有非常广泛的应用范围。若输入电压的容差范围较大、或需降压转换器来处理输入电压的波动的应用，通常会选用这些组件。36V 组件通常用于如 24V 直流之工业供电的应用，或电源有高突波，如 13.5V 车用电池，之汽车应用。 应用电流之消耗 在考虑降压转换器的额定电流时，应用中所消耗的平均电流和最大电流都需要考虑。 该应用的平均电流必须比转换器的额定电流 低，如规格书中所提；二者之间的差异和转 换器的功耗与该应用的散热条件有关。此平 均电流会决定开关 MOSFET 的平均热能，其 中包括了导通损耗与开关损耗。导通损耗也 和内部 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 有关： 即 I2 * RDS(ON)。若高侧和低侧的 RDS(ON)不一样，在考虑该应用的降压比时，也须同时 考虑高侧和低侧 MOSFET 的功耗。开关损耗则与电流、输入电压、和开关频率有关。在 一般标准应用中，开关损耗大约是总损耗的 30％；但在高输入电压或高频率的应用中， 开关损耗则会大幅增加。 图三、不同输出电压下的效率曲线 ??该应用的总功率损耗可由规格书的效率曲线 : ?????????? = (1???) (?????????????????) 算出；然而要注意的是，此功率损耗还 ?? 包括约占总损耗 10％?20％的电感损耗。IC 所允许的最大功耗取决于 IC 的封装、PCB 布局和该应用的最高环境温度。在布局时，将连接到 IC 接脚和封装的散热焊盘的铜线加宽，可因此增加所耗散的功率。 该应用的最大电流通常是和转换器的额定电流相同，如规格书所提，有时甚至略高一点。设计电路时，应确保最大负载电流不会触发转换器之过流保护（OCP）。降压转换器会检测电感峰值电流（或在一些 ACOT 组件的谷值电流），规格书的 OCP 电