第8章 材料中的相变.pptVIP

0 exp exp a r r s G G I n g na n kT kT n D D * * 骣 骣 ÷ ? ÷ ? ÷ = ? - - ÷ ? ? ÷ ÷ ? ? ÷ ? 桫 桫 P ：受成核位垒影响的成核率因子（相变因素） D ：受质点扩散影响的成核率因子（扩散因素） =B· D· P P D I v T I v = P· D ? 当 T ↓时， ? T=T 0 - T↑， 即：成核位垒↓， P 因子↑，成核速 率I↑直至最大值； ? 因此， I 与 T 的关系是曲线 P 和 D 的综合结果，在 T 低时， D 因 子抑制了 I 的增长； T 高时， P 因子抑制了 I 的增长。 只有在合 适的 ? T 下， P 与 D 因子的综合结果使 I 有最大值。 ? 若 T 继续↓，原子或分子扩散速率↓， ? G m ↑， D 因子↓，成核速率I↓ ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 16 3 1 16 3 1 2 2 2 0 3 2 3 T H T n G n G V K ? ? ? ? exp G I kT D 骣 ÷ ? ? ÷ ? ÷ ? 桫 0 exp r r s Ga G I n g na n kT n D D * * 骣 + ÷ ? ÷ = ? - ? ÷ ? ÷ 桫 成核的形成势垒 迁移克服的势垒 u u ΔT Iv Iv 成核、生长速率与过冷度 的关系 高温时， T↑ ，质点 的 相互吸引而聚结 及吸附能力 ↓ ， P↓ ， I↓ ； 低温时， T↑ ， D↑ ， I↑ 。 讨论 I-T 关系 ? 当晶核和晶核剂有相似的原子排列时，质点穿 过界面有强烈的吸引力，对核化最有利。 非均态核化的速率可表示为： exp .................(8.31) h S S G I K kT ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 当晶核对晶核剂接触角越小，越有利于晶核的 生成。 结论： 如果 新相和母相（熔体）组成相同 时，那么控制生 长速度的过程将是原子由母相穿过界面跃迁于新相上这 一 短程扩散 。 当 析出的晶体与母相（熔体）组成不同 时，如：过 饱和固溶体的脱溶分解，需要构成晶体的组分从母相长 距离迁移到达新相－母相界面过程，再通过界面跃迁才 能附着于新相表面，即 长程扩散过程 。 § 8.2.3 晶体生长速率 晶体生长是界面移动的过程， 生长速率与界面结 构及原子迁移密切相关 。 （界面控制） （扩散控制） 熔体 临界晶胚 稳定晶核 长大晶粒 界面控制型生长 1 2 晶体的生长过 程类似于 扩散 过程 ，它取决 于分子或原子 从液相中分离 向界面扩散和 其反方向扩散 之差。 因此，质点从液相向晶相迁移速率： 从晶相到液相反方向的迁移速率为： 0 exp( ) l s a dn G fsv dt kT ? ? ? ? 0 [ ( )] exp{ } s l a V dn G V G fsv dt kT ? ? ? ? ? ? 因此，从液相到晶相迁移的 净速率 为： 0 ( ) exp( )[1 exp( )] l s s l a V dn dn G V G dn fsv dt dt dt kT kT ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? （ 2 ）当 Δ T 很大时， kT 晶体线性 生长速率 u 等于单位时间迁移的原子数目 除以界面原子数 S ，再乘以原子间距 λ ， ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? kT G V kT G f U v a exp 1 exp 0 ?? 讨论： （ 1 ）当 ΔT→0 时， kT 0 ( ) exp( ) V a V G G U f v kT kT ? ? ? ? ? ? ?? fD kT G f U a ?? ? ? ? ? ? ? ? ? ? exp 0 V G V ? V G V ? 乌尔曼的实验结果： 在熔点时生长速率 为零。 高温阶段： 主要由 液相变成晶相的速率控 制，增大过冷度，对过 程有利，故生长速率增 加； 低温阶段 : 过程主要 由相界面扩散所控制， 低温对扩散不利，故生 长速率减慢。 8.1 相变概述 8.2 液－固相的转变 （成核 -