硅材料某电阻率及扩散薄层某电阻地测量.pdfVIP

实用文案 《半导体物理学》 硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量 实验指导书 通信工程学院 微电子实验室 标准 实用文案 二 00 八年九月 硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量 一 前言 半导体单晶的许多性质与其中所含有的杂质的种类和数量有密 切的关系。对同一种单晶材料而言，不同的杂质起着不同的作用。例 如，硅单晶中的硼、铝、镓起受主作用，使它具有空穴（即 P 型）导 电性，而磷、砷等起施主作用，使它具有电子（则 N 型）导电性。 而且，杂质含量的多少决定单晶电导率的数值， 也影响单晶的其它性 质。有的杂质在同一种材料中可起不同的作用。例如，金在硅中既可 起施主作用，也可起受主作用。还有的杂质起中性作用，例如，硅单 晶中的氧就是这样。 标准 实用文案 为了确定纯净的半导体材料中的杂质含量， 通常使用化学分析方 法、光谱分析法、质谱分析法、放射化学法等。它们分别适合于测定 1% — 1PPm 、0.1 — 100PPm 、~0.1PPm 、10-9 ~10 -11 g 的杂质含量。 此外，还有极谱法、 X 射线分析法、红外分析法等。 实际使用的单晶材料大多是按需要选择性的掺入了一定种类、 一 定数量的杂质。 这些能够改变材料导电性的杂质， 需要确定掺杂的浓 度，杂质的浓度用电阻率（Ω·cm ）表征。电阻率值是材料的重要参 数之一。一般通过霍耳系数或电阻率的测定来计算其中实际掺入的杂 质的数量。 二 实验目的 1．弄清四探针法测量的基本原理及测量方法。 2 ．用四探针法测量并计算给定的半导体材料的电阻率，做出硅锭的 电阻率分布（至少 5 个点）。 3 ．用四探针法测量并计算给定的半导体材料的方块电阻。 4 ．用热探针判断半导体材料的导电类型。 三 实验原理 单晶体的电阻率与材料中参与导电的杂质的浓度有关。 对于本征半导体材料： 1 1 nq pq （1 ） 其中 为电阻率值， 为电导率值， 为载流子迁移率值， p 和 n 为 ρ 空穴及电子浓度， q 为电子电量。 测量电阻率的方法有许多种。例如，两探针法，三探针法，四探 针法及霍耳系数法、 - 法，高频方法等等。 前面几种属于直接接触 C V 测量法，而最后一种为非接触测量法。 四探针法是使用最广泛的测量半导体材料电阻率的一种方法。 其 优点是测试设备简单、操作方便、精确度较高、而且对样品无过严的 要求，只要有一个较平坦的表面就可进行测量。 它也适于对各种不同 大小和厚度的样品进行测量， 只须对不同的几何尺寸样品引入不同的 标准 实用文案 修正因子，即可得到所需的结果。四探针法的原理可简述于下： 1 ． 无限大样品 设有一半导体单晶样品， 其大小和厚度相对于测量探针之间的间 距可视为半无穷大。四根探针 1、2 、3 、4 与样品成点接触，相互可 排成一条直线或成四方形或任意形状，电流从 1 流入，从