半导体物理学半导体中杂质与缺陷能级.pptVIP

第二章半导体中的杂质和缺陷能级 ■主要内容:杂质分类;施主杂质、受主杂质;施 主能级、受主能级;浅能级杂质、类氢模型估算 浅能级杂质电离能、估算浅能级杂质的弱束缚载 流子基态轨道半径;杂质的补偿;深能级杂质; 等电子陷阱、等电子杂质、杂质的双性行为;点 缺陷的种类、反结构缺陷、位错和位错能级等 重点:施主杂质,受主杂质:施主能级,受主能 级:找能级质,深能级质:杂质的补偿: 质的双性行为 第二章半导体中的杂质和缺陷能级 2.1硅、锗晶体中的杂质能级 22ⅢV族化合物半导体的杂质能级 ■2.3缺陷和位错的能级 第二章半导体中的杂质和缺陷能级 本征半导体:是指没有杂质和缺陷的半导体,其 内部的电子和空穴成对出现,叫做本征半导体。 ■非正征半导体:半导体材料内部由于杂质或缺陷, 使得电子或空穴任意一方增加,这样的半导体 做掺杂半导体。 本征激发:T0K时,电子从价带激发到导带,同时价 带中产生空穴,m=p=nnDP0 本征载流子浓度 第二章半导体中的杂质和缺陷能级 自由电子 导带 4 空穴 自由电子 价电子 实际半导体与理想半导体的主要区别 实际晶体 理想晶体 原子在平衡位置附近振动原子静止在严格周期性的晶 格格点位置 不纯净,含有质 纯净 存在点、线、面缺陷 晶格结构完整无缺 的其他导体晶格中存在的与组成半导体材料的元素不同 素的原子 点缺陷,如空位、间隙原子、替位原子等 缺陷线缺陷,如位错 面缺陷,如层错、晶粒间界等