第8章 半导体存储器教学材料.ppt

第8章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案 数字电子技术基础 第8章 半导体存储器与可编程逻辑器件 半导体存储器与可编程逻辑器件均属于大规模集成组合逻辑电路。 半导体存储器是由半导体存储单元组成的存储器，读写速度快，但存储容量相对较小，随着半导体存储器技术的快速发展，半导体存储器的容量越来越大，已在逐步取代磁盘存储器的过程之中。 8.1 半导体存储器 8.1.1 存储器概述 存储器是一种能存储二进制数据的器件。 存储器按其材料组成主要可分为磁存储器和半导体存储器。 磁存储器的主要特点是存储容量大，但读写速度较慢。 目前微机系统还在应用的硬盘就属于磁盘存储器。 ⒉ 存储器结构 图8-1 存储器结构示意图 具有三态结构。 ⑴ 存储单元地址 每一存储单元有一个相应的编码，称为存储单元地址。 8位地址编码可区分28=256个存储单元，n位地址编码可区分2n个存储单元。 ⑵ 地址寄存器和地址译码器 寄存n位地址并将其译码为选通相应存储单元的信号。 ⑶ 存储单元矩阵 存储单元矩阵就是存储单元按序组成的矩阵，是存储二进制数据的实体。 ⑷ 数据缓冲器 ⑵ 存储器读操作步骤： ⑸ 控制电路 产生存储器操作各种节拍脉冲信号的电路。主要包括： 片选控制CE（Chip Enable）； 输入（写）允许WE（Write Enable）； 输出（读）允许OE（Output Enable）信号。 ⒊ 存储器的读/写操作 ⑴ 存储器写操作步骤： ⒋ 半导体存储器的分类 半导体存储器按其使用功能可分为两大类。 ⑴ 只读存储器ROM（Read Only Memory） 一般用于存放固定的程序和常数。 特点：信息写入后，能长期保存，不会因断电而丢失。 并要求使用时，信息（程序和常数）不能被改写，即“只读”。对ROM写入必须在特定条件下才能完成写入操作。 特点：能随机读出或写入，读写速度快（能跟上微机快速操作）、方便（不需特定条件）。 ⑵ 随机存取存储器RAM（Random Access Memory） 主要用于存放各种现场的输入输出数据和中间运算结果。 缺点：断电后，被存储的信息丢失，不能保存。 只读存储器ROM分类概况 8.1.2 只读存储器ROM 适用于大批量成熟产品。 ⒈ 掩模ROM（Mask ROM） 用户无法自行写入，必须委托生产厂商在制造芯片时一次性写入。 价格低廉，性能稳定可靠。 擦除时需专用的UVEPROM擦除器（产生强紫外线）； ⒉ 一次性可编程ROM（OTPROM） 用户可自行一次性编程，但一次性编程后不能修改。 价格低廉，性能稳定可靠，是当前ROM应用主流品种之一。 适用于成熟产品，不能作为试制产品应用。 ⒊ 紫外线可擦除EPROM（UVEPROM） 可多次擦写，但擦写均不方便。 写入时需编程电源VPP（电压高），写入时间也很长，不能在线改写。 目前已成为ROM应用主流品种之一（另二种是MaskROM和OTPROM），应用广泛，甚至有逐步取代硬盘和RAM的趋势。 ⒋ 电可擦除EPROM（E2PROM） 擦除时不需紫外线，且可按字节擦写其中一部分，写入速度较快，应用相对方便，但价格比UVEPROM稍贵。 ⒌ 快闪存储器（Flash Memories） Flash Memories也属于E2PROM，其内部结构与E2PROM相类似。 快闪存储器的擦写速度比E2PROM快得多，擦写电压也降至5V，已达到可以在线随机读写应用状态，擦写次数达10万次以上，且价格低廉。