第1-2讲 MOS管特性和CMOS版图基础.pptVIP

常用的二种设计规则： SCMOS 是MOSIS制定的按比例缩小设计规则： 基本采用按比例缩小设计规则，再加上一些限制。 1）Designed to scale across a wide range of technologies. 适用于宽广的工艺节点 2）Designed to support multiple vendors. 适用于各种制造商 3）Designed for educational use. 用于教学目的（为了方便） 4）Therefore, fairly conservative 因此，与理想的按比例缩小设计规则相比，相当保守 制造厂的微米design rules： 所有版图规定了最小尺寸（用微米） SCMOS design rules 2 3 1 3 2 5 Layer Poly Metal1 Metal2 Contact To Poly Contact To Diffusion Via Well (n) Active Area (p+) Color Representation Green Green Red Blue Magenta Black Black Black Active Area (n+) Yellow tub ties (p+) tub ties (n+) Well (p) Yellow 2、CMOS Process Layers 工艺层定义 有源区 (扩散层) 接触孔 通孔 从复杂版图找Transistor的方法 n-type 多晶硅与扩散区的交界处 Poly（红） 扩散区: 绿:：N+ 黄：P+ Poly（红） 扩散区: 黄：P+ （PMOS） 扩散区: 绿:：N+ （NMOS） 从复杂版图找Transistor的方法 Metel (上方常是电源） Metel (下方常是电源） a out a out VDD VSS Metel (上方常是电源） Metel (下方常是电源） PMOS通常与电源相连 (在上方） NMOS通常与地相连 (在上方） 找L与W的方法 w L 沟道长度 沟道宽度 电流方向 W=扩散区宽度 场氧与栅氧 p-tub n-tub poly poly n+ n+ p+ p+ metal 1 metal 1 栅氧：薄，会产生反型层 场氧：厚，不会产生反型层 3、Design Rules 按比例缩小设计规则 （Scalable Design rules）： 工艺参数与版图尺寸按比例缩小 用　?　表示设计尺寸： ０.25u 工艺： ?=0.12u ０.18u 工艺： ? =0.09u ０.13u 工艺： ? =0.06u ?? ? 1）Intra-Layer Design Rules 层内设计规则 Polysilicon 2 2 Metal1 3 3 Metal2 4 3 2 Contact or Via 2 Hole 单位： ? tub ties N+，P+ 2 2 10 9 0 Well 不同阱 相同阱 or 6 Active N+，P+ 3 3 10 相同扩散层 不同扩散层 重要 最小宽度 最小间距 Polysilicon 2 ? 2 ? metal1 3 ? 3 ? 有源区（扩散区，N+，P+） 3 ? 3 ? Contact or Via Hole 2? 2? 2 Contact or Via 2 Hole Metal1 3 3 Polysilicon 2 2 Active N+，P+ 3 3 2）Inter-Layer Design Rules 层间设计规则 单位： ? Transistors 重要 2 3 1 3 2 5 单位： ? W 3 ? 最小尺寸 L