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某计算机的主存为3KB,则内存地址寄存器需______位就足够了。 ;设存储器的地址线为20条,存储单元为字节,使用全译码方式组成存储器,该系统构成的最大存储器容量需要64K×1位的存储器芯片的数量是_________片。 ;设存储器的地址线有16条,存储基本单元为字节,若采用2K×4位芯片,按全译码方法组成存储器,当该存储器被扩充成最大容量时,需要此种存储器芯片的数量是_______。 ;某同学在做实验时,按如图连接芯片的译码电路,得知该芯片的地址范围为3000H~37FFH。试问该芯片的CS端应接到74LS138的_____。 ;12.?? 在如图所示的电路(与上题同一电路),假设Y5与电源Vcc短接,则以下四种现象中,肯定会发生的是_______。
A) 系统仍然正常工作。
B) 系统不能正常工作
C) Y5端所选择的地址范围能被照常访问
D) Y5端所选择的地址范围不能被访问;在如图的译码电路中,为了使每个输出端接到存储器芯片的CS端时,可以选中的地址范围是4KB,则该图中C,B,A三端与CPU的地址线的对应连接可为_____。;若要求Y4寻址的存储器范围为8800H~8FFFH,则B,C端应分别接_______。 ;使用256KB×4的存储器芯片组成1MB的存储器系统,其地址线至少需要____条 ;如图是8片4K×8位的RAM构成的一个随机存取存储器,如果A14A13A12分别为000~111时,则分别被选中的存储区域(范围)的十六机制表示是_____。 ;现有4K×8位的RAM和ROM存储器芯片各一片,其地址线连接方法如图P88所示。在正常情况下,ROM所占的地址空间为 _________,RAM所占的地址空间为_____。 ; PROM存储器是指_______。
A) 可以读写的存储器
B) 可以由用户一次性写入的存储器
C) 可以由用户反复多次写入的存储器
D) 用户不能写入的存储器; 在Intel2164动态RAM存储器中,对存储器的刷新方法是_____。
A) 每次一个单元
B) 每次刷新512个单元
C) 每次刷新256个单元
D) 一次刷新全部单元 ;若用1片74LS138、1片6116RAM(2K×8)及2片2732EPROM(4K×8)组成存储器电路,试问:; 下述EPROM的改写过程,正确的是_____。
A) 使WR信号有效就可以改写
B) 先用高电压擦除,再改写新数据
C) 先用紫外线擦除,再用高电压写新数据
D) 先用紫外线擦除,再用+5V电压写新数据 ; 在进行RAM扩充实验时,某同学的接线出现____,但存储器还能正常读写。
A) D1与D5交换 B) WR与CS线交换
C) D1与A1交换 D) +5V电源线与地线交换 ;某微机系统的部分接线如图,在8088系统中,(a)应接_____,(b)应接_______________,RAM芯片II的地址范围为_______________________。 ;若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字(16位)的存储器时,需要该芯片数为___________。 ;RAM的地址范围是____________________。
为了使系统能够正常工作,27128芯片的A13引脚应接__________(高、低)电平。
8255A口的地址是__________。; 已知6116RAM(2K×8)的地址范围为0000H~07FFH, 发现其中低1K字节与高1K字节的每个对应单元内容相同(即0000H与0400H内容相同,其余依次类推),其原因是___.
A) 仅片内最高地址线与电源短路
B) 仅片内最高地址线开路
C) 仅片内最高地址线与地短路
D) 以上三种情况都可能 ; 若某RAM芯片的地址线A0与地短路,则_____。
A) 该芯片不能读写数据
B) 会烧坏芯片
C) 只能读写偶地址单元
D) 只能读写奇地址单元 ;用1K×4存储器芯片组成16K×8存储器子系统时,需用地址线总数量最少为________。 ;一个SRAM芯片,有14条地址线和8条数据线,问该芯片最多能储存ASCII字符的个数为___________。 ;习题 第4章 8;习题 第4章 9;A15;A15;用两片74LS138译码,A14分别接这两片的选通端,A14为低第一片译码器工作,为高,第二片译码器工作。;29;4_12题;4_13题
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