半导体元器件基础知识 课件.pptVIP

半导体三极管的结构和类型 三极管的构成是在一块半导体上用掺入不 同杂质的方法制成两个紧挨着的 PN 结，并引出 三个电极，如下图所示。三极管有三个区：发 射区 —— 发射载流子的区域；基区 —— 载流子传 输的区域；集电区 —— 收集载流子的区域。各区 引出的电极依次为发射极（ｅ极）、基极（ｂ 极）和集电极（ｃ极）。发射区和基区在交界 处形成发射结；基区和集电区在交界处形成集 电结。根据半导体各区的类型不同，三极管可 分为 NPN 型和 PNP 型两大类，如下图（ a ）、 （ b ）所示。 N P N 集电极 c b 集电结 发射结 集电区 基区 发射区 发射极 e e b c ( a ) b 三极管的组成与符号 （ a ） NPN 型 ; （ b ） PNP 型 P N P c b e e b c ( b ) c e b 为使三极管具有电流放大作用，在制造过程中必 须满足实现放大的内部结构条件，即： （ 1 ）发射区掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度， 以便于有足够的载流子供“发射”。 （ 2 ）基区很薄，掺杂浓度很低，以减少载流子 在基区的复合机会，这是三极管具有放大作用的关键 所在。 （ 3 ）集电区比发射区体积大且掺杂少，以利于 收集载流子