场效应管工作原理与应用讲解.ppt

31 场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相 似，可以采用 估算法 分析电路直流工作点；采用 小信 号等效电路法 分析电路动态指标。 3.1.5 MOS 管电路分析方法 场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由 于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明 显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，一定要 注意自身特点。 ? 估算法 32 ? MOS 管 截止模式判断方法 假定 MOS 管工作在放大模式： 放大模式 非饱和模式 ( 需重新计算 Q 点 ) N 沟道管： V GS V GS(th) P 沟道管： V GS V GS(th) 截止条件 ? 非饱和与饱和 ( 放大 ) 模式判断方法 a ) 由直流通路写出管外电路 V GS 与 I D 之间关系式。 c ) 联立解上述方程，选出合理的一组解。 d ) 判断电路工作模式： 若 | V DS | | V GS – V GS(th) | 若 | V DS | | V GS – V GS(th) | b ) 利用饱和区数学模型： 2 GS (th) GS OX D ) ( 2 V V l W C I ? ? ? 33 例 1 已知 ? n C OX W /(2 l ) = 0.25 mA/V 2 ， V GS(th) = 2 V ，求 I D 。 解： 假设 T 工作在放大模式 V DD (+20 V) 1.2 M ? 4 k ? T S R G1 R G2 R D R S 0.8 M ? 10 k ? G I D S D G2 G1 DD G2 S G GS R I R R V R V V V ? ? ? ? ? 2 GS (th) GS OX D ) ( 2 V V l W C I ? ? ? 代入已知条件解上述方程组得： I D = 1 mA V GS = 4 V 及 I D = 2.25 mA V GS = ? 1 V ( 舍去 ) V DS = V DD ? I D ( R D + R S ) = 6 V 因此 验证得知： V DS V GS – V GS(th) ， V GS V GS(th) ， 假设成立。 34 ? 小信号等效电路法 场效应管小信号等效电路分法与三极管相似。 ? 利用微变等效电路分析交流指标。 ? 画交流通路； ? 将 FET 用小信号电路模型代替； ? 计算微变参数 g m 、 r ds ； 注：具体分析将在第 4 章中详细介绍。 35 3.2 结型场效应管 ? JFET 结构示意图及电路符号 S G D S G D P + P + N G S D N 沟道 JFET P 沟道 JFET N + N + P G S D 36 ? N 沟道 JFET 管外部工作条件 V DS 0 ( 保证栅漏 PN 结反偏 ) V GS 0 ( 保证栅源 PN 结反偏 ) 3.2.1 JFET 管工作原理 P + P + N G S D - + V GS V DS + - 37 ? V GS 对沟道宽度的影响 |V GS | ? 阻挡层宽度 ? 若 | V GS | 继续 ? 沟道全夹断 使 V GS = V GS (off) 夹断电压 若 V DS = 0 N G S D - + V GS P + P + N 型沟道宽度 ? 沟道电阻 R on ? 1 3.2 结型场效应管 3.3 场效管应用原理 3.1 MOS 场效应管 第 3 章 场效应管 2 概 述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。 它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造 大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别： ? 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 ? 场效应管是单极型器件 ( 三极管是双极型器件 ) 。 场效应管分类： MOS 场效应管 结型场效应管 3 3.1 MOS 场效应管 P 沟道 ( PMOS ) N 沟道 ( NMOS ) P 沟道 ( PMOS ) N 沟道 ( NMOS ) MOSFET 增强型 ( EMOS ) 耗尽型 ( DMOS ) N 沟道 MOS 管与 P 沟道 MOS 管工作原理相似， 不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此 导致加在各极上的电压极性相反。 4 N + N + P + P + P U S G D 3.1.1 增强型 MOS 场效应管 ? N 沟道 EMOSFET 结构示意图 源极 漏极 衬底极 SiO 2 绝缘层 金属栅极 P 型硅 衬底 S G U D 电路符号 l 沟道长度 W 沟道 宽度 5 ? N 沟道 EMOS 管外部工作条件 ? V DS 0 ( 保证漏衬 PN 结反偏