第一章热氧化工艺解读.ppt

(3) 再在 氧化厚度 ~ 氧化时间 图 上直接查找 1100 ℃下，湿氧 氧化 57 分钟所得到的氧化层 厚度为 6500A 左右。 方法 2 (1) 在 氧化厚度 - 氧化时间图 上可 直接查找 1100 ℃下，湿氧 氧化 T oxi =4000? 所需的氧化时间是 24 分钟； (2) 因此例题中总的有效氧化 时间为 (24+33)=57 分钟 ( 此处即假设初始氧化层厚度为 0) ； 利用 氧化厚度 - 氧化时间 图 5 、影响氧化速率的因素 (1) 温度对氧化速率的影响： (2) 氧化气氛对氧化速率的影响： (3) 氧化剂气压对氧化速率的影响： 当氧化剂气压变大时，氧化反应会被加速进行 。 (4) 硅片表面晶向对氧化速率的影响： 由于 Ks 取决于硅 表面的密度 和反应的 活化能 ， 而 <111> 的硅表面原子密度较高， Ks 相对较大； 所以 <111> 的氧化速率比 <100> 快 。 温度 ? ? B 和 B/A ? ? 氧化速率 ? C*(H 2 O 气氛 ) >> C*(O 2 气氛 ) H 2 O 氧化速率远大于 O 2 氧化速率 B ? C* ? P G 图 4.5 高压水汽氧化中的抛物线和线性速率系数 ( 引自 Razouk 等 人文献，经电化学协会准许重印 ) ■ 杂质的增强氧化效应 高浓度衬底杂质 一般都倾向于 提高氧化速率 注意：杂质的增强氧化不仅 造成硅片表面氧化层厚度的 差异，也形成 新的硅台阶 。 (5) 衬底掺杂对氧化的影响 图 4.19 900 ℃下，干氧氧化的 速率系数 与 磷表 面浓度 的函数关系曲线 ( 引自 Ho 等人文献，经 电化学协会准许重印 ) 高浓度的磷在硅表 面 增加空位密度 ， 从而 提高 硅的表面 反应速率 。 图 4.18 在 三种 不同的硼表面 浓度 下， 二氧 化硅厚度 与 湿氧氧化时间 的关系 ( 引白 DeaI 等人文献，经电化学协会准许重印 ) 高浓度的硼 进入 SiO 2 中 可增强分 子氧扩散率 ，从 而 提高 其抛物线 氧化速率 。 氧化过程中硅内的 杂质 会 在 硅和新生长的 SiO 2 之 界面处重新 分布 ，这是由于杂质在硅和 SiO 2 中的固溶度不同引起的。 ■ 分凝效应 ■ 干氧氧化的 氧化剂 —— O 2 ■ 湿氧氧化的 氧化剂 —— O 2 + 水 的混合气体 。 （一）热氧化工艺 ( 方法 ) ■ O 2 加少量卤素 （ 1%-3% ），最常用的卤素是 氯 ■ 高温下 O 2 和 H 2 混合点火 燃烧形成水蒸汽 (H 2 O) 1 、最常见的氧化方法： 2 、其他常用的氧化环境： 三、热氧化工艺（方法）和系统 （按氧化剂分类） 干氧氧化 和 湿氧氧化 1) 硅片送入 炉管 ，通入 N 2 及 小流量 O 2 ； 2) 升温，升温速度为 5 ℃～ 30 ℃ / 分钟 ； 3) 通大流量 O 2 ，氧化反应开始； 4) 通大流量 O 2 及 TCE ( 0.5 ～ 2 ％ ) ； 5) 关闭 TCE ，通大流量 O 2 ，以消 除残余的 TCE ； 6) 关闭 O 2 ，改通 N 2 ，作 退火 ； 7) 降温，降温速度为 2 ℃～ 1 0 ℃ / 分钟 ； 8) 硅片拉出炉管。 3 、氧化工艺的 主要步骤 TCE ：三氯乙烯 以 干氧 氧化为例 (1) 干氧氧化： 氧化速率慢， SiO 2 膜结构致密、干燥 ( 与光 刻胶粘附性好 ) ，掩蔽能力强。 (2) 湿氧氧化： 氧化速率快， SiO 2 膜结构较疏松，表面易有缺 陷，与光刻胶粘附性不良。 ( 湿氧环境中 O 2 和 H 2 O 的比例是关键参数 ) (3) 氢氧合成氧化： 氧化机理与湿氧氧化类似， SiO 2 膜质量取