氮化硅陶瓷解读.ppt

氮化硅陶瓷的制造方法 ? 常压烧结 (Pressureless Sintering) 与热压烧结类似，要加入烧结助剂（加入 的量比热压要高） 原料粉必须高 ? 含量。烧结机理也是液相烧 结，同时溶解，淀析过程同样存在。 由于高温氮化硅容易分解，烧结时必需使 用埋粉（氮化硅＋ BN ＋ MgO ） 氮化硅陶瓷的制造方法 将反应烧结和常压烧结结合起来 反应烧结前将烧结助剂混入原料粉中， 将反应烧结坯在高温下重新烧结，得到致密氮化硅 制品 重烧结必须在高的氮气压力下（几十到几百大气压） 制品强度可以达到热压的效果。 ? 重烧结（ Resintering 或 Post-Sintering 氮化硅陶瓷的制造方法 ? 气压烧结（ Gas-Pressure Sintering) ? 与重烧结类似，只是不需要前面的反应烧结过 程。烧结温度最高可达 2000 ℃。 ? 气压烧结可以用常压烧结 50 ％或更少的烧结助 剂实现烧结，产品性能较好。 ? 致密化主要贡献来自较高的温度，高的氮气压 力主要是为了抑制氮化硅的分解。 氮化硅陶瓷 绪言 ? 地球上氮和硅的含量非常高 ? 空气中氮气含量约 78.6 ％ ? 地壳中硅是继氧后含量第二的元素 （ 26.09 ％） ? 自然界中没有氮硅化合物 ? 氮化硅为人工合成的新材料（ 1857 年） 2 4 3 3 6 4 3 H N Si NH Si ? ? ? 19 世纪 80 年代，人们已经制备出氮化硅块体材料 绪言 ? 二战之后，科学技术发展迅速，原子能、 火箭、燃气轮机等高技术领域对材料提 出了更高的要求， ? 迫使人们去寻求比耐热合金更能承受高 温、比普通陶瓷更能抵御化学腐蚀的新 材料。 ? 氮化硅陶瓷性能优异，激发了人们对它 的热情和兴趣。 绪言 ? 高的室温强度和高温强度 ? 高硬度 ? 耐磨蚀性好 ? 抗氧化性高 ? 良好的耐热冲击和机械冲击性能 ? 在高温结构陶瓷领域，氮化硅陶瓷是综合 性能最好、最有应用潜力和最有希望替代 镍基合金并在高温领域获得广泛应用的新 材料。 氮化硅结构 ? 氮化硅与氮和硅通过共价键连接，结构 比较复杂，一般认为主要有 ? ? -Si 3 N 4 ，空间群为 P6 3 /m ，六方晶格常数 a=0.7608nm ， c=0.2910nm, 易形成长柱 状结构 ? ? -Si 3 N 4 ，空间群为 P31c, 六方晶胞常数 a=0.7748~0.7765nm ， c=0.5617~0.5622nm ，易形成等轴状颗 粒结构 氮化硅结构 ? 1400~1600 ℃加热 ? -Si 3 N 4 会转变成 ? - Si 3 N 4 。但不能说 ? 相是低温晶型， ? 是高 温晶型。 ? 低温合成时两相可同时存在 ? 两种结构除有对称性高低差别外，并没 有高低温之分！只不过 ? 相对称性低，容 易形成， ? 相在热力学上更稳定！ 氮化硅物理化学性质 ? 热学性质：属高温难熔化合物 无熔点，常压下 1900 ℃左右分解， 抗高温蠕变能力强，不含粘结剂的反应 烧结氮化硅负荷软化点可高达 1800 ℃多。 ? 热膨胀系数小，（ 2.8~3.2 ）× 10 － 6 / ℃ ? 导热性好－（ 2 ～ 155W/(mK) ） －良好的抗热震性能（从室温～ 1000 ℃热冲 击不会开裂） 氮化硅物理化学性质 ? 电绝缘性－（电阻率： 10 15 ～ 10 16 ? · cm ） 介电损耗小，抗击穿电压高 （受合成方式、游离 Si 、烧结助剂引入的 杂质等影响） ? 化学稳定性：硅氮共价键结合，键能很高， 生成焓很高－稳定的化合物 （ 1 ）抗氧化性 800 ℃以下干燥气氛中不与氧反应 氮化硅物理化学性质 2 2 2 4 3 2 3 3 N SiO O N Si ? ? ? 反应在试样表面生成氧化硅膜，随温度升 高氧化硅膜逐渐变得稳定， 到 1000 ℃左右形成致密氧化硅保护层，从 而防止氮化硅继续氧化。直到 1400 ℃都基 本稳定。 800 ℃以上开始反应 氮化硅物理化学性质 潮湿空气中，氮化硅受热 200 ℃以上，即可 发生表面氧化作用 3 2 2 4 3 4 3 6 NH SiO O H N Si ? ? ? 此反应生成的氧化硅是无定形的，不能形成致密保 护膜，这个反应会不断缓慢进行。 另外氧化作用与氮化硅陶瓷的气孔和由添加剂形成 的晶界相有很大关系，碱金属杂质会加快氧化