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BLL6H0514-25
LDMOS driver transistor
Rev. 5 — 1 September 2015 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
25 W LDMOS transistor intended for pulsed applications in the 0.5 GHz to 1.4 GHz range.
Table 1. Application information
Typical RF performance at Tcase = 25 C; IDq = 50 mA; in a class-AB application circuit.
Mode of operation f tp VDS PL Gp RLin D Pdroop(pulse) tr tf
(MHz) (s) (%) (V) (W) (dB) (dB) (%) (dB) (ns) (ns)
pulsed RF 960 to 1215 128 10 50 25 21 10 58 0.05 8 6
1200 to 1400 300 10 50 25 19 10 50 0.05 8 6
CAUTION
This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken
during transport and handling.
1.2 Features and benefits
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