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BLF0910H6L500;
BLF0910H6LS500
Power LDMOS transistor
Rev. 2 — 13 April 2017 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
A 500 W LDMOS power transistor for industrial applications at frequency of 915 MHz.
The BLF0910H6L500 and BLF0910H6LS500 are designed for high-power CW
applications and are assembled in high performance ceramic packages.
Table 1. Typical performance
RF performance at VDS = 50 V; IDq = 90 mA in a class-AB application circuit.
Test signal f VDS PL Gp D
(MHz) (V) (W) (dB) (%)
CW [1] 915 50 500 18 61
CW pulsed [2][3] 915 50 500 19.5 62.5
[1] Tcase =65 C.
[2] Tcase =25 C.
[3] tp =100 s; =10 %.
1.2 Features and benefits
High efficiency
Easy power control
Excellent ruggedness
Integrated ESD protection
Designed for broadband operation (900 MHz to 930 MH
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