Q_THDZ 01-2020SiC功率模块企业标准.pdf

Q/THDZ 同辉电子科技股份有限公司企业标准 Q/THDZ 1-2020 SiC模块测试标准 2020-01-08发布 2020-01-08实施 同辉电子科技股份有限公司 发布 前 言 本标准是依据GB/T1.1-2009规则编写。 本标准由同辉电子科技股份有限公司提出并起草。 本标准主要起草人：李帅，白欣娇，袁凤坡，李晓波，王静辉。 本标准2020年1月8 日首次发布并实施。 SiC模块测试标准 1、范围 本标准规定SiC模块性能的測试方法。 本标准适用于同辉电子科技股份有限公司SiC模块产品性能测试。 2、规范性引用文件 下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注明日期的引用文件，仅注日期的版本 适用于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。 GB2900.32-1994-T 电工术语电力半导体器件 GB4937.1-2006T 半导体器件机械和气候试验方法第 1部分：总则 GB4937.2-2006T 半导体器件机械和气候试验方法第2 部分：低气压 GB4586-1994-T 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 GB4589.1-2006半导体器件第 10 部分：分立器件和集成电路总规范 GB13974-1992-T 半导体管特性图示仪测试方法 GB14113-1993-T 半导体集成电路封装术语 GB19403.01-2003-T 半导体器件集成电路第 11部分：第 1篇：半导体集成电路内部目 检 3、术语和定义: 下列术语和定义适用于本标准 3.1金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor） 一种电压型控制晶体管，具有驱动功率小，开关速度快特性。 3.2MOSFET 伏安特性volt-amperecharacteristics 指以栅源电压U 为参变量时，漏极电流与漏源电压之间的关系曲线。 GS 3.3MOSFET 转移特性transfer characteristic 输出漏极电流I 与栅源电压U 之间的关系曲线，反映了输入电压和输出电流的关系。 D GS 3.4 热阻 ThermalResistance 在热平衡条件下，两规定点(或区域)之间温度差与产生这两点温度差的耗散功率之比。 功率器件热阻 （Ｒ ）的计算公式： th Ｒ ΔT/P th 1 4、测试条件 4.1测试设备 E8267D 信号源 M9505A 波形发生器 N1912A 功率计 N6705B 电源 N9040B 频谱仪 N5244A 矢量网络分析 LX9300静态参数测试仪 动态参数测试仪 4.2 测试环境 室温环境： 25℃±2℃ 湿热环境： 85℃±2℃，相对湿度85% 高温环境 1：85℃±2℃ 高温环境2：120℃±2℃ 低温环境： -40℃ 5、测试项目 5.1封装结构测试 5.1.1对SiC 模块外形尺寸、基板平整度、内部结构等封装规格进行测量检查，确认SiC 模块封装规格是否与厂商标识规格一致，或符合我司新器件标准要求。 5.1.2 封装外观测试 5.1.2.1在室温环境下，在显微镜下观察封装外观标识是否清晰、模