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实用文档 MOSFET 的短沟道效应 3 第 8 章 MOSFET 的短沟道效应 MOSFET的沟道长度小于 3um时发生的短沟道效应 较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的，这 五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生 的。它们是： （1） 由于电源电压没能按比例缩小而引起的电场 增大； （2） 内建电势既不能按比例缩小又不能忽略； （3） 源漏结深不能也不容易按比例减小； （4 ） 衬底掺杂浓度的增加引起载流子迁移率的降 低； （5） 亚阈值斜率不能按比例缩小。 （A ） 亚阈值特性 我们的目的是通过 MOSFET的亚阈值特性来推断 阈值电压到底能缩小到最小极限值。 对于长沟道器件而言，亚阈值电流由下式给出 W 2 V V V I C V exp GS T 1 exp DS (8.1) D n d t L V V t t 也可以写成如下的形式 标准文案 实用文档 W 2 V V V GS T DS I C V exp 1 exp D n d t L V V t t VGS VDS ID 0 exp 1 exp (8.2) Vt Vt 式中的 Cd 为单位面积耗尽区电容。 s s s qNa Cd (8.3) xd 2 s 2 fp 4 fp qN a kT Vt 是热电压， 1 Cd / Cox ，在VDS 大于几个热电压时有 q W 2 V V I C V exp GS T (8.4) D n d t L V t 对上式两边取对数 W 2 VGS VT ln I ln C V (8.5) D n d t L Vt 上式也可以写成 I V V ln D GS T (8.6) W C V 2 Vt n d t L 从式（ 8.4 ）中可以看出，当 VGS VT 0 时，即当栅－源 电压等于亚阈值电压时有亚阈值电流： W 2